特許
J-GLOBAL ID：200903005273524530

窒化物半導体発光素子

発明者：
高野 隆好

高野 隆好 について

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椿 健治

椿 健治 について

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平山 秀樹

平山 秀樹 について

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藤川 紗千恵

藤川 紗千恵 について


出願人/特許権者：
パナソニック電工株式会社

パナソニック電工株式会社 について

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独立行政法人理化学研究所

独立行政法人理化学研究所 について


代理人 (2件)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-168516
公開番号（公開出願番号）：特開2009-260203
出願日： 2008年06月27日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：
【課題】発光層の内部量子効率を向上できて高出力化が可能な窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】エピタキシャル成長用の単結晶基板1の一表面側に第1のバッファ層2が形成され、第1のバッファ層2の表面側にn形窒化物半導体層3が形成され、n形窒化物半導体層3の表面側に第2のバッファ層4を介して第3のバッファ層5が形成され、第3のバッファ層5の表面側に発光層6が形成され、発光層6の表面側にp形窒化物半導体層7が形成されている。第3のバッファ層5は、発光層6の貫通転位および残留歪みを低減するとともに発光層3の下地の平坦性を向上させ、さらには当該第3のバッファ層5で生成されたキャリアを利用して発光層6のピエゾ電界を緩和するために設けたものであり、ドナーとなる不純物としてSiを添加してある。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
単結晶基板と、当該単結晶基板の一表面側に形成された第1のバッファ層と、第1のバッファ層の表面側に形成されたn形窒化物半導体層と、n形窒化物半導体層の表面側に形成された第2のバッファ層と、第2のバッファ層の表面側に形成された発光層と、発光層の表面側に形成されたp形窒化物半導体層とを備え、第2のバッファ層と発光層との間に、ドナーとなる不純物が添加された第3のバッファ層が設けられてなることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (10件)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CB36
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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