研究者
J-GLOBAL ID:201801009412604445   更新日: 2024年09月14日

大野 圭司

ONO Keiji
所属機関・部署:
研究分野 (2件): 半導体、光物性、原子物理 ,  ナノ構造物理
研究キーワード (6件): 単一電子トンネリング ,  シリコン量子ビット ,  核スピン ,  スピン ,  量子ドット ,  量子輸送
競争的資金等の研究課題 (11件):
  • 2022 - 2026 スピン量子性に基づくデバイス指紋(量子指紋)の生成と抽出
  • 2018 - 2023 シリコン技術に立脚した室温動作スピン量子ビット
  • 2017 - 2020 シリコン量子ビット集積化に向けたスピン結合基本技術の創製
  • 2015 - 2020 シリコンMOS技術と整合性をもつスピン量子ビットとその大規模集積化
  • 2016 - 2019 シリコントンネルトランジスタの量子ドットデバイス応用に関する研究
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論文 (90件):
  • Tetsufumi Tanamoto, Keiji Ono, Jun Deguchi, Junji Wadatsumi, Ryuichi Fujimoto. Noise properties in the Coulomb blockade region of FinFETs. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 3. 03SP69-03SP69
  • Tetsufumi Tanamoto, Keiji Ono. Readout using resonant tunneling in silicon spin qubits. Journal of Applied Physics. 2023. 134. 21
  • Satoshi Moriyama, Takahiro Mori, Keiji Ono. Resonant tunneling and quantum interference of a two-spin system in silicon tunnel FETs. Applied Physics Express. 2023. 16. 11. 114001-114001
  • Yoshisuke Ban, Kimihiko Kato, Shota IIZUKA, Shigenori Murakami, Koji Ishibashi, Satoshi Moriyama, Takahiro Mori, Keiji Ono. Introduction of deep level impurities, S, Se, and Zn, into Si wafers for high-temperature operation of a Si qubit. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. {SC}
  • Tetsufumi Tanamoto, Keiji Ono. Simulations of hybrid charge-sensing single-electron-transistors and CMOS circuits. Applied Physics Letters. 2021. 119. 17
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MISC (204件):
  • 伴芳祐, 加藤公彦, 飯塚将太, 村上重則, 石橋幸治, 森山悟士, 森貴洋, 大野圭司. スピンブロッケードを用いた室温動作量子磁気センサー感度の向上. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 70th
  • 大野 圭司. 半導体中の局在スピンとその量子技術への応用. 物性若手夏の学校テキスト. 2023. 1. 242-254
  • 伴芳祐, 加藤公彦, 飯塚将太, 村上重則, 石橋幸治, 森山悟士, 森貴洋, 大野圭司. 深い不純物準位を導入したSiトンネルFETにおける室温でのスピンブロッケード. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 83rd
  • 棚本哲史, 大野圭司. FinFETを用いた共通ゲートを持ったスピン量子ビットの提案. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd
  • 大野 圭司. 高温動作シリコン量子ビットとその量子干渉効果-High-temperature Silicon Qubit and Its Quantum Interference-小特集 量子技術に着想を得た次世代コンピューティング ; 量子コンピュータ技術の最前線. 電子情報通信学会誌 = The journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. 2020. 103. 3. 275-281
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特許 (3件):
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