単電子トランジスタ及びその製造方法並びに集積回路

発明者： , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：塩田伸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-146869
公開番号（公開出願番号）：特開2017-028153
出願日： 2015年07月24日
公開日（公表日）： 2017年02月02日
要約：

【課題】容易に製造可能で、且つ、室温で単電子動作可能な単電子トランジスタを提供する。【解決手段】単電子トランジスタ10は、ソース部12及びソース部12と離間して配されるドレイン部13と、ソース部12及びドレイン部13の間に配されるとともにソース部12との境界及びドレイン部13との境界のそれぞれでトンネル接合が形成され、領域中に量子ドットを形成する量子ドット形成不純物dが含まれる量子ドット形成半導体部11と、少なくとも量子ドット形成半導体部11上にゲート絶縁膜14を介してゲート電極15が配されるゲート部と、で形成され、量子ドット形成半導体部11をチャネル部としたトンネル電界効果トランジスタの構造を有する。ソース部12及びドレイン部13間の最短距離であるゲート長が大きくとも100nm未満である。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

ソース部及び前記ソース部と離間して配されるドレイン部と、前記ソース部及び前記ドレイン部の間に配されるとともに前記ソース部との境界及び前記ドレイン部との境界のそれぞれでトンネル接合が形成され、領域中に量子ドットを形成する量子ドット形成不純物が含まれる量子ドット形成半導体部と、少なくとも前記量子ドット形成半導体部上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が配されるゲート部と、で形成され、前記量子ドット形成半導体部をチャネル部としたトンネル電界効果トランジスタの構造を有し、前記ソース部及び前記ドレイン部間の最短距離であるゲート長が大きくとも100nm未満であることを特徴とする単電子トランジスタ。

IPC (9件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/66 , H01L 29/786 , H01L 29/06 , H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 29/417 , B82Y 10/00

FI (10件)：

H01L29/78 301J , H01L29/66 S , H01L29/78 622 , H01L29/78 626Z , H01L29/78 618F , H01L29/06 601D , H01L29/06 601N , H01L29/48 F , H01L29/50 M , B82Y10/00

Fターム (58件)：

4M104AA01 , 4M104BB21 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104CC03 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104GG09 , 5F110AA30 , 5F110BB13 , 5F110CC10 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG52 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ07 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HK34 , 5F140AC12 , 5F140AC13 , 5F140AC20 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA03 , 5F140BA05 , 5F140BB15 , 5F140BC06 , 5F140BC17 , 5F140BD11 , 5F140BE09 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF14 , 5F140BJ30 , 5F140BK13

引用特許：

審査官引用 (7件)

原子スケール規模の装置の製造
公報種別：公表公報出願番号：特願2010-545327 出願人：クコーピーティーワイリミテッド
液晶表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-133822 出願人：日本ビクター株式会社
特開昭63-206726

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