特許

J-GLOBAL ID：200903022789492874

スピンバルブトランジスタ

発明者： 佐藤 俊彦 ,  秋永 広幸 ,  本田 元就 ,  樽茶 清悟 ,  大野 圭司 ,  横山 浩
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-382827
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188390
出願日： 2001年12月17日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】 磁気抵抗変化の大幅な向上による信号レベルの減少を抑えて信号体雑音比を高めることができるスピンバルブトランジスタを提供する。【解決手段】 半導体層(400)上に直に成長させた第一の磁性体層(200)と、この第一の磁性体層(200)上に、順にトンネルバリア層(300)と、第二の磁性体層(100)とを積層した構造を有するスピンバルブトランジスタであって、前記半導体層(400)上にアバランシェブレイクダウンによる電子増倍層(410)を設ける。

請求項（抜粋）：

半導体層上に直に成長させた第一の磁性体層と、該第一の磁性体層上に、順にトンネルバリア層と、第二の磁性体層とを積層した構造を有するスピンバルブトランジスタであって、前記半導体層上にアバランシェブレイクダウンによる電子増倍層を設けることを特徴とするスピンバルブトランジスタ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• スピン伝導素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-267626   出願人：株式会社東芝
• 磁性体デバイス及びそれを用いた磁気センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-189366   出願人：株式会社東芝
• スピン・トランジスタ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-538670   出願人：アイシス・イノベーション・リミテッド
• 磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-252168   出願人：株式会社東芝