研究者

J-GLOBAL ID：201801017172364738 更新日: 2024年01月30日

鮫島俊之

Toshiyuki Sameshima

所属機関・部署：
職名：教授
その他の所属（所属・部署名・職名） (2件)：

東京農工大学工学部電気電子工学科
東京農工大学大学院工学府電気電子工学専攻

ホームページURL (1件)： http://www.tuat.ac.jp/~sameken/

研究分野 (1件)：電気電子材料工学

競争的資金等の研究課題 (61件)：

2021 - 2024 液体プロセスによる新規低温半導体表面及びカットエッジパッシベーション
2018 - 2020 PN接合内蔵電位依存少数キャリヤ再結合欠陥調査及び解析の研究
2017 - 2018 超高効率・低コストIII-V化合物太陽電池モジュールの研究開発(メカニカルスタック)
2016 - 2017 超高効率・低コストIII-V化合物太陽電池モジュールの研究開発(メカニカルスタック)
2017 - 2017 炭素ホットイオン注入法を用いた二次元シリコンカーバイド及びグラフェンの基盤研究

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論文 (198件)：

Tomoyoshi Miyazaki, Ryota Seki, Takuma Uehara, Takuji Arima, Masahiko Hasumi, Go Kobayashi, Izumi Serizawa, Toshiyuki Sameshima. Development of Microwave-Induced Rapid Heating System Using Wireless Carbon Heating Tubes. Proceedings of AM-FPD 2020 - 27th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials. 2020. 7-10
Tomohisa Mizuno, Rikito Kanazawa, Takashi Aoki, Toshiyuki Sameshima. SiC quantum dot formation in SiO2 layer using double hot-Si+/C+-ion implantation technique. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2020. 59
Toshiyuki Sameshima, Tomokazu Nagao, Erika Sekiguchi, Masahiko Hasumi. Argon Precursor Ion Implantation Used to Activate Boron Atoms in Silicon at Low Temperatures. IEEE ACCESS. 2020. 8. 72598-72606
TOSHIYUKI SAMESHIMA, T. Kikuchi, T. Uehara, T. Arima, M. Hasumi, T. Miyazaki, G. Kobayashi, I. Serizawa3. MICROWAVE RAPID HEATING SYSTEM USING CARBON HEATING TUBE. Proceedings 17th International Conference on Microwave and High Frequency Heating. 2019
Tomohisa Mizuno, Masaki Yamamoto, Shinji Nakada, Sho Irie, Takashi Aoki, Toshiyuki Sameshima. SiC nano-dot formation in bulk-Si substrate using hot-C+-ion implantation process. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2019. 58. 8

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MISC (3件)：

宮崎智由, 宮崎智由, 鮫島俊之, 齋藤宗平, 小野寺航, 上原琢磨, 有馬卓司, 蓮見真彦, 小林剛, 芹澤和泉, et al. 無電極ランプを熱源とした加熱装置によるリンイオン注入300mm径シリコン基板の活性化. 電子情報通信学会論文誌 C(Web). 2023. J106-C. 1
水野智久, 青木孝, 鮫島俊之. 2016年度神奈川大学総合理学研究所共同研究助成論文二次元SiGe及びSiCを用いた赤外/可視域EL素子の研究. Science journal of Kanagawa University = 神奈川大学理学誌. 2017. 28. 1. 31-36
H Watakabe, T Sameshima, H Kanno, T Sadoh, M Miyao. Electrical and structural properties of poly-SiGe film formed by pulsed-laser annealing. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2004. 95. 11. 6457-6461

書籍 (5件)：

薄膜トランジスタ
コロナ社 2008
低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発 -システムオンパネルをめざして-
シーエムシー出版 2007 ISBN:9784882316787
レーザーハンドブック
オーム社 2005 ISBN:4274200353
THIN FILM TRANSISTORS
Kluwer Academic Publishers 2003 ISBN:1402075065
レーザー研究第31巻第1号
(社)レーザー学会 2003

講演・口頭発表等 (450件)：

Heating equipment with carbon heating used to activate silicon and fabricate its solar cells
(第79回応用物理学会学術講演会 2018)
Two-Step Ion Implantation used for Activating Boron Atoms in Silicon at 300°C
(22nd International Conference on Ion Implantation Technology 2018)
Carbon Heating Tube Used for Rapid Heating System for Semiconductor Annealing
(Active Matrix Flat Panel Displays 2018)
Two-Step Ion Implantation used for Activating Boron Atoms in Silicon at 300°C
(Active Matrix Flat Panel Displays 2018)
Surface Passivation of Crystalline Silicon by Heat Treatment in Liquid Water and Its Application to Improve the Interface Properties of Metal-Oxide-Semiconductor Structures
(Active Matrix Flat Panel Displays 2018)

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Works (19件)：

加熱水処理表面パッシベーション研究開発
2014 - 2015
蓄電型多接続ソーラーセル研究開発
2013 - 2015
酸素ラジカル処理表面パッシベーション研究開発
2012 - 2015
マイクロ波加熱結晶化活性化研究開発
2012 - 2015
新規MIS型ソーラーセル研究開発
2010 - 2015

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学歴 (2件)：

- 1980 静岡大学理学研究科物理学専攻
- 1978 名古屋大学理学部物理学科

学位 (2件)：

工学博士 (静岡大学)
理学修士 (静岡大学)

経歴 (6件)：

2004/09/01 - - 東京農工大学大学院共生科学技術研究院教授
1995/02/16 - 2004/08/31 - 東京農工大学工学部電子情報工学科助教授
1994/07/01 - 1995/02/15 - ドイツマックスプランク研究所客員研究員
1994/05/01 - 1994/06/30 - ソニー(株)中央研究所主任研究員
1993/01/01 - 1994/04/30 - ソニー(株)中央研究所研究統括課長

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受賞 (1件)：

1991 - 高柳研究奨励賞

所属学会 (2件)：

日本物理学会 , 応用物理学会

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