研究者
J-GLOBAL ID:202101002466796545   更新日: 2024年07月17日

金 正煥

キム ジョンファン | Kim Junghwan
所属機関・部署:
職名: 助教
競争的資金等の研究課題 (6件):
  • 2021 - 2024 ヨウ素アニオンの性質を生かした新機能の開拓
  • 2017 - 2022 電子化物のコンセプトと応用の新展開
  • 2019 - 2021 毒性元素を含まない新規ハロゲン化物発光材料の探索およびEL素子の作製
  • 2017 - 2019 超ワイドバンドギャップアモルファス酸化物の開発および光劣化のない半導体素子の開拓
  • 2017 - 2018 アモルファスエレクトライドの領域開拓
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論文 (60件):
  • Hironobu Sugiyama, Nobuhiro Nakamura, Satoru Watanabe, Junghwan Kim, Masaaki Kitano, Hideo Hosono. Electronic Promotion of Methanol Synthesis over Cu-Loaded ZnO-Based Catalysts. The Journal of Physical Chemistry Letters. 2023. 14. 5. 1259-1264
  • Tomoyuki Yamasaki, Soshi Iimura, Junghwan Kim, Hideo Hosono. Extremely Shallow Valence Band in Lanthanum Trihydride. Journal of the American Chemical Society. 2022
  • Keisuke Ide, Naoto Watanabe, Takayoshi Katase, Masato Sasase, Junghwan Kim, Shigenori Ueda, Koji Horiba, Hiroshi Kumigashira, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, et al. Low-temperature-processable amorphous-oxide-semiconductor-based phosphors for durable light-emitting diodes. Applied Physics Letters. 2022. 121. 19
  • Masatake Tsuji, Soshi Iimura, Junghwan Kim, Hideo Hosono. Hole Concentration Reduction in CuI by Zn Substitution and its Mechanism: Toward Device Applications. ACS Applied Materials & Interfaces. 2022
  • Kihyung Sim, Takuya Nakao, Masato Sasase, Soshi Iimura, Junghwan Kim, Hideo Hosono. 18-Crown-6 Additive to Enhance Performance and Durability in Solution-Processed Halide Perovskite Electronics. Small. 2022. 2202298-2202298
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特許 (5件):
  • 光電子素子、これを用いた平面ディスプレイ、及び光電子素子の製造方法
  • 半導体化合物、半導体化合物の層を有する半導体素子、積層体、およびターゲット
  • 化合物半導体の量子ドットを含む膜
  • 有機EL素子
  • 酸化物半導体化合物、酸化物半導体化合物の層を備える半導体素子、および積層体
学歴 (3件):
  • 2014 - 2016 東京工業大学 総合理工学研究科 物質科学創造専攻 博士課程
  • 2012 - 2014 東京工業大学 総合理工学研究科 物質科学創造専攻 修士課程
  • 2005 - 2012 Ajou University Department of Electrical and Computer Engineering
経歴 (3件):
  • 2021/12 - 現在 POSTECH 化学工学科 兼任教授
  • 2021/10 - 現在 JST さきがけ研究者(兼任)
  • 2016/04 - 現在 東京工業大学 元素戦略研究センター 助教
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