特許

J-GLOBAL ID：201903008036599549

化合物半導体の量子ドットを含む膜

発明者： 細野 秀雄 ,  金 正煥 ,  中村 伸宏 ,  渡邉 暁 ,  宮川 直通
出願人/特許権者： AGC株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
代理人 (2件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-153628
公開番号（公開出願番号）：特開2019-041104
出願日： 2018年08月17日
公開日（公表日）： 2019年03月14日
要約：

【課題】所望の特性を再現性良く発揮することが可能な、化合物半導体の量子ドットを含む膜を提供する。【解決手段】化合物半導体の量子ドットを含む膜であって、当該膜は、化合物半導体Xと、30mol%未満の酸化ケイ素とを含み、前記量子ドットは、シェラー直径が1nm〜15nmの範囲であり、隣接する前記量子ドット同士の間には、厚さが3nm以下の絶縁障壁が存在し、前記絶縁障壁は、非晶質であり、酸化ケイ素および前記化合物半導体Xを有することを特徴とする膜。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

化合物半導体の量子ドットを含む膜であって、 当該膜は、化合物半導体Xと、30mol%未満の酸化ケイ素とを含み、 前記量子ドットは、シェラー直径が1nm〜15nmの範囲であり、 隣接する前記量子ドット同士の間には、厚さが3nm以下の絶縁障壁が存在し、 前記絶縁障壁は、非晶質であり、酸化ケイ素および前記化合物半導体Xを有することを特徴とする膜。

IPC (2件)：

H01L 29/06 ,  B82Y 20/00

FI (2件)：

H01L29/06 601D ,  B82Y20/00

Fターム (13件)：

5F103AA08 ,  5F103BB05 ,  5F103BB22 ,  5F103DD27 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103HH04 ,  5F103HH05 ,  5F103HH10 ,  5F103NN04 ,  5F103NN05 ,  5F103RR04 ,  5F103RR05