特許

J-GLOBAL ID：201803002092094381

有機EL素子

発明者： 細野 秀雄 ,  金 正煥 ,  宮川 直通 ,  中村 伸宏 ,  渡邉 暁 ,  永井 直美 ,  苗 偉
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学 ,  AGC株式会社 ,  株式会社カネカ
代理人 (1件)： 新山 雄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-100081
公開番号（公開出願番号）：特開2018-195512
出願日： 2017年05月19日
公開日（公表日）： 2018年12月06日
要約：

【課題】透明電極として用いるITO層に表面研磨処理を施さなくても、かつ、上記ITO層と金属酸化物層との間に介在層を形成しなくても、高い製品歩留まりで製造することができる有機ELを提供する。【解決手段】本発明に係る有機EL素子は、ITO層を含む陽極層と、陰極層と、該陽極層と該陰極層との間に挟持された有機機能層とを備え、該有機EL素子は、該ITO層と接して、非晶質金属酸化物薄膜層を備え、該非晶質金属酸化物薄膜層と接して、かつ、該有機機能層の一部として、正孔注入層を備え、該非晶質金属酸化物薄膜層は、亜鉛(Zn)、ケイ素(Si)、及び酸素(O)を含み、Zn/(Zn+Si)の原子数比が0.30〜0.95である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ITO層を含む陽極層と、陰極層と、該陽極層と該陰極層との間に挟持された有機機能層とを備える有機EL素子であって、 該有機EL素子は、該ITO層と接して、非晶質金属酸化物薄膜層を備え、該非晶質金属酸化物薄膜層と接して、かつ、該有機機能層の一部として、正孔注入層を備え、 該非晶質金属酸化物薄膜層は、亜鉛(Zn)、ケイ素(Si)、及び酸素(O)を含み、Zn/(Zn+Si)の原子数比が0.30〜0.95である、有機EL素子。

IPC (4件)：

H05B 33/26 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/28 ,  H01L 27/32

FI (6件)：

H05B33/26 Z ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 C ,  H05B33/22 D ,  H05B33/28 ,  H01L27/32

Fターム (14件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107CC23 ,  3K107CC27 ,  3K107CC45 ,  3K107DD22 ,  3K107DD24 ,  3K107DD46X ,  3K107DD71 ,  3K107DD73 ,  3K107DD78 ,  3K107DD84 ,  3K107FF14

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-329189   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平3-053495
  
• 表示素子および表示装置ならびに電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-108213   出願人：ソニー株式会社
• Zn-Si-O系酸化物焼結体とその製造方法および透明導電膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-207198   出願人：住友金属鉱山株式会社