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J-GLOBAL ID:201702269063870315   整理番号:17A1943194

Eu添加GaNを発光層にした狭帯域赤色垂直微小共振器LEDの実現

Realization of red resonant cavity LEDs with an Eu-doped GaN active layer
著者 (4件):
資料名:
巻: 117  号: 331(ED2017 49-71)  ページ: 45-48  発行年: 2017年11月23日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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我々はEu添加GaN(GaN:Eu)を発光層とした狭帯域赤色発光ダイオード(LED)の実用化に向けて,光出力の増大を目指した研究を行っている。本研究では,フォトン場の制御によるEu発光強度増大を目的として,導電性分布ブラッグ反射鏡(DBR)を用いたGaN:Eu垂直微小共振器LEDを作製した。本LEDでは,微小光共振器構造を有さないLEDと比較して,Eu発光遷移確率が1.06倍,Eu発光強度が4.6倍となることを明らかにした。(著者抄録)
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分類 (2件):
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発光素子  ,  固体デバイス製造技術一般 
引用文献 (12件):

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