Si埋込み酸化物を用いたMOSキャパシタにおける電流-電圧ヒステリシス特性

MATSUDA Toshihiro; ISHIMARU Shinsuke; NOHARA Shingo; IWATA Hideyuki; KOMOKU Kiyotaka; MORISHITA Takayuki; OHZONE Takashi

文献

J-GLOBAL ID：200902236209851410 整理番号：09A1258143

Si埋込み酸化物を用いたMOSキャパシタにおける電流-電圧ヒステリシス特性

Current-Voltage Hysteresis Characteristics in MOS Capacitors with Si-Implanted Oxide

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資料名：
巻： E92-C 号： 12 ページ： 1523-1530 発行年： 2009年12月01日
JST資料番号： L1370A ISSN： 0916-8524 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

Si埋込み熱酸化物とCV堆積酸化物の30nm厚みをもつMOSキャパシタを,不揮発性メモリとエレクトロルミネセンス素子用に製作した。電流-電圧(V-I)およびI-Vヒステリシス特性を測定して,ヒステリシス窓(HW)とHWの蓄積電荷(ICHW)をヒステリシスデータから抽出しそして検討した。高Si分量のサンプルのHW特性は両テイルにハンプをもつ非対称ダブルピーク曲線を呈した。このICHWは第4サイクル後にはほぼ収束し,電圧スィープ速度依存する。すべての+ICHWとーICHW特性は,それぞれ,静的(+I)-(+V_G)曲線と(-I)-(-V_G)曲線とに密接に関連している。この高Si分量サンプルの場合に,この静的I-V_G特性の明瞭なハンプ電流が電圧上昇を減らし,そしてICHWの急峻な増大を招き,これが酸化物中におけるおおきな蓄積電荷に対応している。(翻訳著者抄録)

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金属-絶縁体-半導体構造 , 半導体集積回路

引用文献 (49件)：

KALNITSKY, A. Memory effect and enhanced conductivity in Si-implanted thermally grown SiO_2. IEEE Trans. Electron Devices. 1987, ED-34, 11, 2372
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NING, T. H. Silicon technology-emerging trends from a system application perspective. 2003 Symp. VLSI Technology, Dig. Tech. Papers. 2003

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