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J-GLOBAL ID：200902267884888822   整理番号：06A0605831

(001)ダイアモンド上での水素プラズマエッチング機構

Hydrogen plasma etching mechanism on (001) diamond
著者 (12件)：
RI Sung-gi

RI Sung-gi について

(Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki ...)

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RI Sung-gi

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(Core Res. for Evolutional Sci. and Technol. (CREST), Japan Sci. and Technol. Agency (JST), c/o AIST, JPN)

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WATANABE Hideyuki

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WATANABE Hideyuki

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(Core Res. for Evolutional Sci. and Technol. (CREST), Japan Sci. and Technol. Agency (JST), c/o AIST, JPN)

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OGURA Masahiko

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OGURA Masahiko

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(Core Res. for Evolutional Sci. and Technol. (CREST), Japan Sci. and Technol. Agency (JST), c/o AIST, JPN)

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TAKEUCHI Daisuke

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TAKEUCHI Daisuke

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(Core Res. for Evolutional Sci. and Technol. (CREST), Japan Sci. and Technol. Agency (JST), c/o AIST, JPN)

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YAMASAKI Satoshi

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YAMASAKI Satoshi

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OKUSHI Hideyo

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(Core Res. for Evolutional Sci. and Technol. (CREST), Japan Sci. and Technol. Agency (JST), c/o AIST, JPN)

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資料名：
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

Journal of Crystal Growth について


巻： 293  号： 2  ページ： 311-317  発行年： 2006年08月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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シソーラス用語：
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CVD【化学蒸着】

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分類 (1件)：
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