多量のBイオン注入を用いるダイヤモンド中への低抵抗のp<sup>+</sup>層の形成

TSUBOUCHI Nobuteru; OGURA Masahiko; HORINO Yuji; OKUSHI Hideyo

文献

J-GLOBAL ID：200902291956699963 整理番号：06A0540420

多量のBイオン注入を用いるダイヤモンド中への低抵抗のp⁺層の形成

Low-resistance p⁺ layer formation into diamond using heavily B ion implantation

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巻： 89 号： 1 ページ： 012101-012101-3 発行年： 2006年07月03日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

高温において多重エネルギーBイオンをダイヤモンド中に注入(1...

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半導体の放射線による構造と物性の変化 , 半導体の格子欠陥

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多量のBイオン注入を用いるダイヤモンド中への低抵抗のp+層の形成

多量のBイオン注入を用いるダイヤモンド中への低抵抗のp⁺層の形成