研究者

J-GLOBAL ID：200901017764983236 更新日: 2008年01月17日

池田弥央

イケダミツヒサ | Ikeda Mitsuhisa

所属機関・部署：
職名：産官学連携研究員

研究分野 (1件)：電気電子材料工学

研究キーワード (4件)：メモリ , 量子ドット , シリコン , 半導体

競争的資金等の研究課題 (1件)：

シリコン量子構造の形成法と機能デバイスへの応用

MISC (8件)：

Multiple-Step Electron Charging in Si Quantum-Dot Floating Gate MOS Memories (共著). Digest of Papers Microprocesses and Nanotechnology 2002. 2002. pp. 116-117
Control of The Positioning of Self-Assmbling Si Quantum Dots on Ultrathin SiO2/c-Si by Using Scanning Probe (共著). Digest of Papers Microprocesses and Nanotechnology 2001. 2001. pp. 282-283
Charge Injection Characteristics of a Si Quantum Dot Floating Gate in MOS Structures (共著). Extended Abstracts of the 2001 International Conference on Solid State Devices and Materials. 2001. pp. 308-309
Control of self-assembling formation of nanometer silicon dots by low pressure chemical vapor deposition (共著). Thin Solid Films. 2000. 369, pp. 55-59
Charging States of Si Quantum Dots as Detected by AFM/Kelvin Probe Technique (共著). Japanese Journal of Applied Physics. 2000. Vol. 39, Part 1, No. 4B, pp. 2318-2320

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学歴 (2件)：

- 2002 広島大学工学研究科材料工学
- 1996 広島大学工学部第二類(電気系)

学位 (1件)：

修士 (広島大学)

経歴 (1件)：

2002 - -:広島大学産官学連携研究員

所属学会 (1件)：

応用物理学会

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