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J-GLOBAL ID：200902110775721075   整理番号：00A0710533

低圧化学蒸着によるナノメータスケールのシリコンドットの自己集合形成の制御

Control of self-assembling formation of nanometer silicon dots by low pressure chemical vapor deposition.

著者 (5件)： MIYAZAKI S (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  HAMAMOTO Y (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  YOSHIDA E (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  IKEDA M (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  HIROSE M (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 369  号： 1/2  ページ： 55-59  発行年： 2000年07月03日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂超薄層上でのSiナノドット形成...

シソーラス用語： *LPCVD ,...
準シソーラス用語： ヒドロキシル化

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低圧化学蒸着 ,  ナノメータ ,  スケール ,  シリコン ,  ドット ,  自己集合