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J-GLOBAL ID：200902138178551012   整理番号：00A0544447

AFM/Kelvinプローブ法によって検出したSi量子ドットの荷電状態

Charging States of Si Quantum Dots as Detected by AFM/Kelvin Probe Technique.

著者 (6件)： SHIMIZU N (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  IKEDA M (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  YOSHIDA E (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  MURAKAMI H (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  MIYAZAKI S (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  HIROSE M (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39  号： 4B  ページ： 2318-2320  発行年： 2000年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半球状の標記量子ドットは,熱的に成長させた3.2nm厚SiO...

シソーラス用語： *量子ドット ,...

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分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

引用文献 (9件)：

• 1) M. Fukuda, K. Nakagawa, S. Miyazaki and M. Hirose: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 2291.
• 2) S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, A. Hartstein, E. F. Crrab and K. Chan: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 1377.
• 3) A. Kohno, H. Murakami, M. Ikeda, H. Nishiyama, S. Miyazaki and M. Hirose: Ext. Abstr. 1998 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (Business Center for Academic Societies Japan, Tokyo, 1998) p. 174.
• 4) Y. Takahashi, A. Fujiwara, K. Yamazaki, H. Namatu, K. Kurihara and K. Murase: Ext. Abstr. 1998 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (Business Center for Academic Societies Japan, Tokyo, 1998) p. 176.
• 5) K. Nakagawa, M. Fukuda, S. Miyazaki and M. Hirose: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 452 (1997) 243.

タイトルに関連する用語 (5件)： AFM ,  Kelvinプローブ ,  Si ,  量子ドット ,  荷電状態