特許
J-GLOBAL ID：201603017451506677

ゲルマニウム層付き基板の製造方法及びゲルマニウム層付き基板

発明者：
角田 功

角田 功 について

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高倉 健一郎

高倉 健一郎 について

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本山 慎一

本山 慎一 について

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楠田 豊

楠田 豊 について

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古田 真浩

古田 真浩 について


出願人/特許権者：
独立行政法人国立高等専門学校機構

独立行政法人国立高等専門学校機構 について

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サムコ株式会社

サムコ株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人京都国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-144759
公開番号（公開出願番号）：特開2016-021503
出願日： 2014年07月15日
公開日（公表日）： 2016年02月04日
要約：
【課題】フレキシブル基板上の所望の箇所に、容易に結晶ゲルマニウム層を形成する。【解決手段】ゲルマニウム層付き基板100の製造方法において、基板10上に非晶質のゲルマニウム層30を形成する工程と、前記形成したゲルマニウム層30上に、非晶質ゲルマニウムの結晶化を促す結晶化誘起金属層40を形成する工程と、結晶化誘起金属層40上に、結晶化誘起金属層40に応力を印加する応力印加層50を、雰囲気温度80°C〜280°Cにてプラズマ蒸着法により形成する工程とを含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
a) 基板上に非晶質のゲルマニウム層を形成する工程と、 b) 前記形成したゲルマニウム層上に、非晶質ゲルマニウムの結晶化を促す結晶化誘起金属層を形成する工程と、 c) 前記結晶化誘起金属層上に、前記結晶化誘起金属層に応力を印加する応力印加層を、雰囲気温度80°C〜280°Cにてプラズマ蒸着法により形成する工程と、 を含むことを特徴とするゲルマニウム層付き基板の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/20 ,  C30B 29/08 ,  C23C 16/22 ,  H01L 51/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/203
FI (6件)：
H01L21/20 ,  C30B29/08 ,  C23C16/22 ,  H05B33/14 A ,  H01L21/205 ,  H01L21/203 S
Fターム (60件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC14 ,  3K107CC41 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  3K107FF17 ,  4G077AA03 ,  4G077BA05 ,  4G077DA11 ,  4G077ED06 ,  4G077EE06 ,  4G077FE10 ,  4G077FE19 ,  4G077FJ06 ,  4G077FJ07 ,  4G077HA12 ,  4K029BA02 ,  4K029BA05 ,  4K029BB02 ,  4K029BB03 ,  4K029BB10 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA07 ,  4K030FA01 ,  4K030HA04 ,  4K030JA10 ,  5F045AA08 ,  5F045AA19 ,  5F045AB05 ,  5F045AB32 ,  5F045AC07 ,  5F045AF07 ,  5F045BB08 ,  5F045HA16 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103GG03 ,  5F103PP03 ,  5F103PP15 ,  5F103RR08 ,  5F152AA02 ,  5F152AA20 ,  5F152BB06 ,  5F152CC04 ,  5F152CC08 ,  5F152CD13 ,  5F152CE06 ,  5F152CE16 ,  5F152CF06 ,  5F152CF13 ,  5F152CF18 ,  5F152CF24 ,  5F152DD06 ,  5F152FF21
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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