ゲルマニウム層付き基板の製造方法及びゲルマニウム層付き基板

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人京都国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-144759
公開番号（公開出願番号）：特開2016-021503
出願日： 2014年07月15日
公開日（公表日）： 2016年02月04日
要約：

【課題】フレキシブル基板上の所望の箇所に、容易に結晶ゲルマニウム層を形成する。【解決手段】ゲルマニウム層付き基板100の製造方法において、基板10上に非晶質のゲルマニウム層30を形成する工程と、前記形成したゲルマニウム層30上に、非晶質ゲルマニウムの結晶化を促す結晶化誘起金属層40を形成する工程と、結晶化誘起金属層40上に、結晶化誘起金属層40に応力を印加する応力印加層50を、雰囲気温度80°C〜280°Cにてプラズマ蒸着法により形成する工程とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

a) 基板上に非晶質のゲルマニウム層を形成する工程と、 b) 前記形成したゲルマニウム層上に、非晶質ゲルマニウムの結晶化を促す結晶化誘起金属層を形成する工程と、 c) 前記結晶化誘起金属層上に、前記結晶化誘起金属層に応力を印加する応力印加層を、雰囲気温度80°C〜280°Cにてプラズマ蒸着法により形成する工程と、を含むことを特徴とするゲルマニウム層付き基板の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 , C30B 29/08 , C23C 16/22 , H01L 51/50 , H01L 21/205 , H01L 21/203

FI (6件)：

H01L21/20 , C30B29/08 , C23C16/22 , H05B33/14 A , H01L21/205 , H01L21/203 S

Fターム (60件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC14 , 3K107CC41 , 3K107CC45 , 3K107EE04 , 3K107FF17 , 4G077AA03 , 4G077BA05 , 4G077DA11 , 4G077ED06 , 4G077EE06 , 4G077FE10 , 4G077FE19 , 4G077FJ06 , 4G077FJ07 , 4G077HA12 , 4K029BA02 , 4K029BA05 , 4K029BB02 , 4K029BB03 , 4K029BB10 , 4K029CA01 , 4K029CA05 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA07 , 4K030FA01 , 4K030HA04 , 4K030JA10 , 5F045AA08 , 5F045AA19 , 5F045AB05 , 5F045AB32 , 5F045AC07 , 5F045AF07 , 5F045BB08 , 5F045HA16 , 5F103AA08 , 5F103DD30 , 5F103GG03 , 5F103PP03 , 5F103PP15 , 5F103RR08 , 5F152AA02 , 5F152AA20 , 5F152BB06 , 5F152CC04 , 5F152CC08 , 5F152CD13 , 5F152CE06 , 5F152CE16 , 5F152CF06 , 5F152CF13 , 5F152CF18 , 5F152CF24 , 5F152DD06 , 5F152FF21

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-351808 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
シリコン酸化膜の形成方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-168923 出願人：富士通株式会社
選択型シリサイド薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-091843 出願人：シャープ株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Thin-film tunneling transistors on flexible plastic substrates based on stress-assisted lateral grow

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