特許

J-GLOBAL ID：200903000175360129

SOIトランジスタの評価方法および評価装置

発明者： 葉山 清輝 ,  大山 英典 ,  高倉 健一郎
出願人/特許権者： 独立行政法人国立高等専門学校機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-008969
公開番号（公開出願番号）：特開2008-177333
出願日： 2007年01月18日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：

【課題】 SOI MOSFETのAC動作時の実効的な寄生容量を精度良く測定可能な評価方法とMOSFET作製後のSOI基板の品質評価方法およびそれらの評価装置を提供する.【解決手段】SOI MOSFETのゲートバイアスに交流信号を重乗し,ドレイン電流の応答から,ロックインアンプを用いて実効寄生容量を測定する.SOI MOSFETのバックゲートバイアスや試料温度が異なる条件で実効寄生容量を測定して比較するとSOI層と埋め込み酸化膜(BOX層)との界面の品質を評価できる. 【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

SOI MOSFETのゲートバイアスに交流信号を重畳し,ドレイン電流の交流応答信号の振幅と位相からデバイスの任意のバイアス状態で動作時の実効的な寄生容量を求めることを特徴とする評価装置

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 27/12 ,  G01R 31/26

FI (3件)：

H01L29/78 624 ,  H01L27/12 T ,  G01R31/26 B

Fターム (12件)：

2G003AA02 ,  2G003AB01 ,  2G003AB07 ,  2G003AC03 ,  2G003AE02 ,  2G003AF02 ,  2G003AH01 ,  2G003AH05 ,  5F110AA24 ,  5F110CC02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD22

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 評価装置及びそれに用いる回路設計方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-373349   出願人：日本電気株式会社
• トランジスタの評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-376124   出願人：セイコーエプソン株式会社