研究者

J-GLOBAL ID：200901025129513722 更新日: 2020年08月30日

黒岩紘一

クロイワコウイチ | Kuroiwa Koichi

所属機関・部署：
職名：教授
ホームページURL (1件)： http://www.tuat.ac.jp/~klab/

研究分野 (5件)：電子デバイス、電子機器 , 電気電子材料工学 , 薄膜、表面界面物性 , 結晶工学 , 応用物性

研究キーワード (4件)：薄膜 , 半導体電子工学 , Thin film , Semiconductor electronics

競争的資金等の研究課題 (8件)：

2001 - 高誘電率絶縁膜形成に関する研究
2001 - Study on High Dielectric Constant Insulator Films
1994 - 新メモリ-デバイスの特性シミュレ-ション
1994 - Simulation of New Memory Device Characteristics
1993 - 強誘電体薄膜の形成と不揮発性メモリへの応用

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MISC (82件)：

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書籍 (7件)：

半導体用語辞典
日刊工業新聞社 2002
半導体用語大辞典
日刊工業新聞社 1999
半導体大事典
工業調査会 1999
光励起プロセスハンドブック
サイエンスフォーラム 1987
半導体デバイスの物理(1)
コロナ社 1974

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講演・口頭発表等 (43件)：

スパッタ法による直接接合HfO2/Si構造の作製と評価
(第55回応用物理学関係連合講演会 2008)
High-k膜のポストアニールによる特性変化の検討
(第55回応用物理学関係連合講演会 2008)
熱酸化によるGeO2の作製とその評価
(第55回応用物理学関係連合講演会 2008)
ECR酸化法によるZrO2ゲート絶縁膜材料の成膜および評価
(第55回応用物理学関係連合講演会 2008)
下地構造の違いによるHfO2膜の熱耐性の評価
(第69回応用物理学会学術講演会 2008)

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Works (6件)：

半導体と絶縁膜の界面特性およびその評価法に関する研究
光CVD法による薄膜析出の研究
強誘電体薄膜形成とその応用の研究
Research on Interface Properties between Semiconductor and Insulator Film and Its Characterization Methods
Research on Thin Film Deposition by Photo-CVD

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学歴 (6件)：

- 1972 東京大学工学系研究科
- 1972 東京大学
- 1969 東京大学工学系研究科
- 1969 東京大学
- 1967 東京大学工学部電子工学科

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学位 (2件)：

工学博士 (東京大学)
工学修士 (東京大学)

経歴 (6件)：

2001 - -:東京農工大学大学院工学研究科電気電子工学専攻博士前期課程教授
1984 - 1993 :東京農工大学助教授工学部
1993 - -:東京農工大学教授工学部
1992 - 1992 :千葉大学講師工学部(併任)
1988 - -:東京農工大学大学院工学研究科電子情報工学専攻博士後期課程助教授

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所属学会 (4件)：

日本結晶成長学会 , 電気学会 , 電子情報通信学会 , 応用物理学会

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