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J-GLOBAL ID：200902267548802162   整理番号：05A0298237

金属の蒸着とその後の酸素アニーリングによる超薄ZrO₂/Si構造の低温作製

Low-Temperature Fabrication of Ultrathin ZrO₂/Si Structure Using Metal Deposition Followed by Oxygen Annealing

著者 (6件)： NAGASATO Y (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  AYA T (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  IWAZAKI Y (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  HASUMI M (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  UENO T (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  KUROIWA K (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 1A  ページ： 5-7  発行年： 2005年01月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属の蒸着とそれに続いて酸素アニーリングを行って,ZrO<s...

シソーラス用語： 酸化ジルコニウム ,...

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (5件)：

• 1) R. H. Dennard, F. H. Gaensslen, H.-N. Yu, V. L. Rideout, E. Bassous and A. R. LeBlanc: J. Solid-State Circuits 9 (1974) 256.
• 2) M.-H. Cho, Y. S. Roh, C. N. Whang, K. Jeong, S. W. Nahm, D.-H. Ko, J. H. Lee, N. I. Lee and K. Fujihara: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 472.
• 3) Y. Nagasato and T. Ueno: submitted to Jpn. J. Appl. Phys.
• 4) Y. C. Quan, J. E. Lee, H. Kang, Y. Roh, D. Jung and C.-W. Yang: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 6904.
• 5) L. Manchanda et al.: Int. Electron Device Meet. (2000) p. 23.

タイトルに関連する用語 (7件)： 蒸着 ,  酸素 ,  アニーリング ,  ZrO2 ,  Si ,  低温 ,  作製