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J-GLOBAL ID：200902244755448352   整理番号：08A0557339

有機金属化学蒸着によって堆積させたHfO₂薄膜の熱安定性

Thermal Stability of HfO₂ Films Fabricated by Metal Organic Chemical Vapor Deposition

著者 (5件)： NAGASATO Yoshitaka (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  IWAZAKI Yoshitaka (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  HASUMI Masahiko (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  UENO Tomo (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  KUROIWA Koichi (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 1 Issue 1  ページ： 31-34  発行年： 2008年01月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学蒸着(MOCVD)によって堆積させたHfO₂薄膜中の不純物に対する高温アニーリングの効果を研究した。熱脱着分光法(TDS)から,高温におけるアニーリングの過程で,炭素の様な残留不純物は質量数が28の一酸化炭素(CO)の形でHfO₂薄膜から脱着することが分かった。高温アニーリングによるHfO₂の電気的特性の劣化は,このような脱着に起因することが判明した。850°Cにおいて30分間アニーリングすることによって,質量数が28の分子が多く脱着したHfO₂膜では,漏洩電流の増加やフラットバンド電圧のシフトなどによって示される劣化が顕著に起こることが分かった。薄膜内における残留不純物の数を減少させることによる脱着の抑制が,高温アニーリングの過程におけるHfO₂膜の熱安定性の改善に繋がることが明らかになった。更に,MOCVDによるHfO₂膜の作製において,MO源および酸素を間欠的に導入すると,通常のMOCVD法によって堆積された膜よりも残留不純物の数が低下することが分かった。その結果,HfO₂膜のサーマルバジェットに対する安定性が改善されることが判明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MOCVD ,  *酸化ハフニウム ,  *誘電体薄膜 ,  熱安定性 ,  温度 ,  焼なまし ,  熱脱着スペクトル ,  不純物濃度 ,  一酸化炭素 ,  漏れ電流 ,  電圧 ,  劣化 ,  アニーリング温度
準シソーラス用語： 残留不純物 ,  サーマルバジェット ,  フラットバンド電圧

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (8件)：

• S. Chang, J. Lee, and H. Shin: Jpn. J. Appl. Phys.41(2002)4432.
• S. Inumiya, T. Miura, K. Shirai, T. Matsuki, K. Torii, and Y. Nara: Jpn. J. Appl. Phys.45(2006)2898.
• Y. Tsuchiya, M. Endoh, M. Kurosawa. R. T. Tung, T. Hattori, and S. Oda: Jpn. J. Appl. Phys.42(2003)1957.
• Y. Nagasato and T. Ueno: Jpn. J. Appl. Phys.44(2005)1665.
• N. Miyata, M. Ichikawa, T. Nabatame, T. Horikawa, and A. Toriumi: Jpn. J. Appl. Phys.42(2003) L138.

タイトルに関連する用語 (5件)： 有機金属化学蒸着 ,  堆積 ,  HfO2 ,  薄膜 ,  熱安定性