研究者
J-GLOBAL ID:200901037517336334   更新日: 2021年11月19日

久保 俊晴

クボ トシハル | Kubo Toshiharu
所属機関・部署:
職名: 准教授
ホームページURL (1件): http://www.geocities.jp/egawa_lab/
研究分野 (3件): 電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学 ,  応用物性
研究キーワード (1件): 電子デバイス
競争的資金等の研究課題 (10件):
  • 2010 - 現在 絶縁膜/GaN界面の電子準位
  • 2019 - 2022 極微細金属パターン付き基板による高性能低消費電力グラフェンFETの作製
  • 2020 - 2021 Si基板上GaNパワーデバイスの性能を向上させるゲート構造用絶縁膜の開発
  • 2019 - 2020 極微細金属パターン付き基板を用いた高性能グラフェン FET の作製
  • 2017 - 2020 低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト/GaNパワーデバイス等の実用化加速技術開発
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論文 (23件):
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特許 (2件):
  • ゲート絶縁膜の形成方法、および、ゲート絶縁膜
  • グラフェンデバイスおよびその製造方法
講演・口頭発表等 (87件):
  • ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価
    (電子情報通信学会11月研究会 2021)
  • ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性
    (第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021)
  • Pt/ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすフォーミングガスアニールの効果III
    (第68回応用物理学会春季学術講演会 2021)
  • 転写フリーグラフェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果II
    (第68回応用物理学会春季学術講演会 2021)
  • Estimation of Electrical Properties of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with SiO2/Al2O3 Double Insulators Fabricated by ALD
    (ISPlasma2021 2021)
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学歴 (2件):
  • 1999 - 2005 慶應義塾大学 基礎理工学専攻
  • 1995 - 1999 慶應義塾大学 物理情報工学科
学位 (2件):
  • 博士(工学) (慶應義塾大学)
  • Doctor(Engineering) (Keio University)
経歴 (4件):
  • 2018/04/01 - 現在 名古屋工業大学 大学院 しくみ領域 准教授
  • 2010/04/01 - 2018/03/31 名古屋工業大学 助教
  • 2008/12/15 - 2010/03/31 北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター 大学等非常勤研究員
  • 2005/10/15 - 2008/12/14 東京大学 大学院工学系研究科 大学等非常勤研究員
委員歴 (5件):
  • 2018/04/01 - 現在 電子情報通信学会電子デバイス研究会 委員
  • 2014/04/01 - 現在 応用物理学会応用電子物性分科会 幹事
  • 2016/10 - 2018/11/16 日本応用物理学会 IWN2018(金沢)実行委員会・現地実行委員
  • 2016/10 - 2017/11 日本応用物理学会 IWUMD2017(福岡)実行委員会・寄付/展示委員
  • 2010/11 - 2011/03 実行委員
受賞 (1件):
  • 2017/03/05 - ISPlasma2017/IC-PLANTS2017 Committee ISPlasma2017/IC-PLANTS2017 Best Presentation Award
所属学会 (2件):
電子情報通信学会電子デバイス研究会 ,  日本応用物理学会
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