研究者
J-GLOBAL ID:200901037517336334   更新日: 2020年06月03日

久保 俊晴

クボ トシハル | Kubo Toshiharu
所属機関・部署:
職名: 准教授
ホームページURL (1件): http://www.geocities.jp/egawa_lab/
研究分野 (3件): 電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学 ,  応用物性
研究キーワード (1件): 電子デバイス
競争的資金等の研究課題 (9件):
  • 2010 - 現在 絶縁膜/GaN界面の電子準位
  • 2019 - 2022 極微細金属パターン付き基板による高性能低消費電力グラフェンFETの作製
  • 2019 - 2020 極微細金属パターン付き基板を用いた高性能グラフェン FET の作製
  • 2017 - 2020 低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト/GaNパワーデバイス等の実用化加速技術開発
  • 2016 - 2017 GaN-HEMTを高出力化するゲート絶縁膜プロセス開発に関する共同研究
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論文 (18件):
  • Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Heng Chen, Saki Saito, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi. High-breakdown-voltage AlGaN-channel metal-insulator-semiconductor heterostructure field-effect transistors employing a quaternary AlGaInN barrier layer and an Al2O3 gate insulator. Journal of Vacuum Science & Technology B. 2019. 37. 041205-1-041205-4
  • Toshiharu Kubo, Takashi Egawa. Electron-spin-resonance studies of AlGaN/GaN MIS-HEMT structures with Al2O3 fabricated by atomic layer deposition. Physica B. 2019. 571. 210-212
  • Debaleen Biswas, Naoki Torii, Hirotaka Fujita, Takahiro Yoshida, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa. Trap state characterization of Al2O3/AlInGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterostructures. Semiconductor Science and Technology. 2019. 34. 055014-1-055014-6
  • Noriyuki Taoka, Toshiharu Kubo, Toshikazu Yamada, Takashi Egawa, Mitsuaki Shimizu. Experimental evidence of the existence of multiple charged states at Al2O3/GaN interfaces. Semiconductor science and Technology. 2019. 34. 025009-1-025009-7
  • N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu. Impacts of oxidants in atomic layer deposition method on Al2O3/GaN interface properties. Jpn. J. Appl. Phys. 2017. 57. 01AD04-1-01AD04-5
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特許 (2件):
  • ゲート絶縁膜の形成方法、および、ゲート絶縁膜
  • グラフェンデバイスおよびその製造方法
講演・口頭発表等 (76件):
  • Pt/ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすフォーミングガスアニールの効果II
    (第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019)
  • ALD-SiO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼす成膜後熱処理の効果
    (第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019)
  • Al2O3/AlInGaN/GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ構造のトラップ状態の特性評価
    (第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019)
  • 触媒金属凝集法を用いて作製した転写フリー多層膜グラフェンの光応答特性の評価2
    (第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019)
  • 転写フリーグラェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果
    (第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019)
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学歴 (2件):
  • 1999 - 2005 慶應義塾大学 理工学研究科 基礎理工学専攻
  • 1995 - 1999 慶應義塾大学 理工学部 物理情報工学科
学位 (1件):
  • 工学 (慶應義塾大学)
経歴 (4件):
  • 2018/04/01 - 現在 名古屋工業大学 准教授
  • 2010/04/01 - 2018/03/31 名古屋工業大学 助教
  • 2008/12/15 - 2010/03/31 北海道大学 大学等非常勤研究員
  • 2005/10/15 - 2008/12/14 東京大学 大学等非常勤研究員
委員歴 (5件):
  • 2018/04/01 - 現在 電子情報通信学会電子デバイス研究会 委員
  • 2014/04/01 - 現在 応用物理学会応用電子物性分科会 幹事
  • 2016/10 - 2018/11/16 日本応用物理学会 IWN2018(金沢)実行委員会・現地実行委員
  • 2016/10 - 2017/11 日本応用物理学会 IWUMD2017(福岡)実行委員会・寄付/展示委員
  • 2010/11 - 2011/03 実行委員
受賞 (1件):
  • 2017/03/05 - ISPlasma2017/IC-PLANTS2017 Committee ISPlasma2017/IC-PLANTS2017 Best Presentation Award
所属学会 (2件):
電子情報通信学会電子デバイス研究会 ,  日本応用物理学会
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