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J-GLOBAL ID：201902250339646462   整理番号：19A1895866

四元系algainN障壁層とAl_2O_3ゲート絶縁体を用いた高破壊電圧AlGaNチャネル金属-絶縁体-半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

High-breakdown-voltage AlGaN-channel metal-insulator-semiconductor heterostructure field-effect transistors employing a quaternary AlGaInN barrier layer and an Al₂O₃ gate insulator

著者 (7件)： Hosomi Daiki (Research Center for Nano Devices and Advanced Materials, Nagoya Institute of Technology, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Furuoka Keita (Research Center for Nano Devices and Advanced Materials, Nagoya Institute of Technology, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Chen Heng (Research Center for Nano Devices and Advanced Materials, Nagoya Institute of Technology, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Saito Saki (Research Center for Nano Devices and Advanced Materials, Nagoya Institute of Technology, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Kubo Toshiharu (Research Center for Nano Devices and Advanced Materials, Nagoya Institute of Technology, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Egawa Takashi (Research Center for Nano Devices and Advanced Materials, Nagoya Institute of Technology, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Miyoshi Makoto (Research Center for Nano Devices and Advanced Materials, Nagoya Institute of Technology, Nagoya 466-8555, Japan)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 37  号： 4  ページ： 041205-041205-4  発行年： 2019年 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Al_2O_3ゲート絶縁金属-絶縁体-半導体(MIS)ヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)を,Al_0.61Ga_0.37In_0.02N/Al_0.18Ga_0.82N二次元電子ガスヘテロ構造を用いて作製し,それらの電気的性質を特性化した。熱的に安定な四元AlGaInN障壁層が10.5Ωmmの良好なオーム接触抵抗に寄与することを確認した。この値はAlGaNチャネルのヘテロ構造としてかなり小さいと思われる。作製したMIS-HFETは良好なピンチオフ特性を示し,+2Vのゲートバイアスで約180mA/mmの最大ドレイン電流(I_DSmax)を示した。ゲートからドレイン長20μmの素子に対して,2.5kVの高オフ状態破壊電圧を得た。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *チャネル ,  Ohm接触 ,  キャラクタリゼーション ,  *FET【トランジスタ】 ,  二次元電子ガス ,  ピンチオフ ,  *半導体 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： オフ状態 ,  ドレイン電流 ,  HFET ,  *ヘテロ構造 ,  *絶縁破壊電圧 ,  *バリア層 ,  *四成分系 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 四元系 ,  障壁層 ,  ゲート絶縁体 ,  破壊電圧 ,  AlGaN ,  チャネル ,  絶縁体 ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ