文献

J-GLOBAL ID：200902209039228031   整理番号：06A0242172

配電網のためのSiCデバイスを有するコンバータの評価

Estimation of Converters with SiC Devices for Distribution Networks

著者 (4件)： KONDOH Junji (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  YATSUO Tsutomu (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  ISHII Itaru (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  ARAI Kazuo (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： 電気学会論文誌 D  (IEEJ Transactions on Industry Applications)
巻： 126  号： 4  ページ： 480-488  発行年： 2006年04月01日 
JST資料番号： X0451A  ISSN： 0913-6339  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文の目的は炭化けい素(SiC)デバイスの利点を示し,どの...

シソーラス用語： *電力変換器 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=06A0242172&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=X0451A") }}

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

引用文献 (11件)：

• (1) C. M. Johnson et al. : “Recent progress and current issues in SiC semiconductor devices for power applications”, IEE Proc. Circuits Devices Syst., Vol. 148, No. 2, pp. 101-108 (2001)
• (2) R. Singh, J. A. Cooper, Jr., M. R. Melloch, T. P. Chow, and J. W. Palmour: “SiC Power Schottky and PiN Diodes”, IEEE Trans. on Electron Devices, Vol. 49, No. 4, pp. 665-672 (2002)
• (3) Y. Li, J. A. Cooper, Jr., and M. A. Capano: “High-voltage (3kV) UMOSFETs in 4H-SiC”, IEEE Trans. on Electron Devices, Vol. 49, No. 6, pp. 972-975 (2002)
• (4) K. Asano, Y. Sugawara, T. Hayashi, S. Singh, J. Palmour, and D. Takayama: “5kV 4H-SiC SEJFET with low Rons of 69mΩcm²”, Proc. of 14th ISPSD, pp. 61-64 (2002)
• (5) S. Ryu et al. : “10-kV 123mW-cm² 4H-SiC Power DMOSFETs”, IEEE Electron Device Letters, Vol. 25, No. 8, p. 556 (2004)

タイトルに関連する用語 (4件)： 配電 ,  SiC ,  コンバータ ,  評価