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J-GLOBAL ID：200902272765664103   整理番号：04A0394623

4H-SiCによる8.5-mΩ・cm2 600VダブルエピタキシャルMOSFET

8.5-mΩ cm2 600-V Double-Epitaxial MOSFETs in 4H-SiC
著者 (6件)：
HARADA S

HARADA S について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN について

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OKAMOTO M

OKAMOTO M について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN について

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YATSUO T

YATSUO T について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN について

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ADACHI K

ADACHI K について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN について

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FUKUDA K

FUKUDA K について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN について

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ARAI K

ARAI K について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN について


資料名：
IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)

IEEE Electron Device Letters について


巻： 25  号： 5  ページ： 292-294  発行年： 2004年05月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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4H-SiC縦型MOSFETに関し,オン抵抗が低減される斬新...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*MOSFET

MOSFET について

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分類 (1件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

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タイトルに関連する用語
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4H-SiC

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エピタキシャル

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MOSFET

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