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J-GLOBAL ID：201002208471545808   整理番号：10A0325948

GaAs/GaAsP超格子のX線回折により決定した歪

Strain of GaAs/GaAsP Superlattices Used as Spin-Polarized Electron Photocathodes, Determined by X-Ray Diffraction

著者 (24件)： SAKA Takashi (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, Daido Univ., JPN) ,  ISHIDA Yoichi (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, Daido Univ., JPN) ,  KANDA Masataka (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, Daido Univ., JPN) ,  JIN Xiuguang (Dep. of Crystalline Materials Sci., Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., JPN) ,  MAEDA Yuya (Dep. of Crystalline Materials Sci., Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., JPN) ,  FUCHI Shingo (Dep. of Crystalline Materials Sci., Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., JPN) ,  UJIHARA Toru (Dep. of Crystalline Materials Sci., Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., JPN) ,  TAKEDA Yoshikazu (Dep. of Crystalline Materials Sci., Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., JPN) ,  MATSUYAMA Tetsuya (Dep. of Physics and Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture Univ., JPN) ,  HORINAKA Hiromichi (Dep. of Physics and Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture Univ., JPN) ,  KATO Toshihiro (New Business Dev. Div., Daido Steel Co., Ltd., JPN) ,  YAMAMOTO Naoto (Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., JPN) ,  MANO Atsushi (Dep. of Physics, Graduate School of Sci., Nagoya Univ., JPN) ,  NAKAGAWA Yasuhide (Dep. of Physics, Graduate School of Sci., Nagoya Univ., JPN) ,  KUWAHARA Makoto (Dep. of Physics, Graduate School of Sci., Nagoya Univ., JPN) ,  OKUMI Shoji (Dep. of Physics, Graduate School of Sci., Nagoya Univ., JPN) ,  NAKANISHI Tsutomu (Dep. of Physics, Graduate School of Sci., Nagoya Univ., JPN) ,  YAMAMOTO Masahiro (High Energy Accelerator Organization, JPN) ,  OHSHIMA Takashi (Central Res. Lab., Hitachi Ltd., JPN) ,  KOHASHI Teruo (Central Res. Lab., Hitachi Ltd., JPN) ,  SUZUKI Masahiko (Fundamental Electronics Res. Inst., Osaka Electro-Communication Univ., JPN) ,  HASHIMOTO Michihiro (Fundamental Electronics Res. Inst., Osaka Electro-Communication Univ., JPN) ,  YASUE Tsuneo (Fundamental Electronics Res. Inst., Osaka Electro-Communication Univ., JPN) ,  KOSHIKAWA Takanori (Fundamental Electronics Res. Inst., Osaka Electro-Communication Univ., JPN)
資料名： e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web)  (e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web))
巻： 8  ページ： 125-130 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： U0016A  ISSN： 1348-0391  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： X線回折により,GaAsとGaP(001)基板上で成長させたGaAs/GaAsP超格子(スピン分極光カソードで用いる)における歪を決定した。また,GaAs井戸深さとGaAs障壁層も決定した。これらの実験で決定した歪と層厚に基づき,超格子のバンド構造を計算した。厚さとバンド構造は,透過型電子顕微鏡や光ルミネセンスにより観察したものと良く一致した。GaAs井戸層で誘起した歪は,GaAs層のリン分率にほぼ線形依存し,GaP基板上で成長させた超格子の重い空孔バンドと軽い空孔バンド間の分裂は,GaAs基板上で成長させた超格子のものより大きかった。GaP基板上で成長させた光カソードでは,低分極が認められたが,バンド分裂不足に因るのでなく,結晶欠陥により生じた脱分極分裂に因り,GaAs基板上で成長させた超格子で誘起されたものと異なった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： スピン分極 ,  *超格子 ,  *光電陰極 ,  *ヒ化ガリウム ,  *リン化合物 ,  *X線回折 ,  *歪 ,  結晶成長 ,  量子井戸 ,  被覆層 ,  層厚 ,  バンド構造 ,  透過型電子顕微鏡 ,  光ルミネセンス ,  リン ,  含有量 ,  依存性 ,  線形性 ,  格子欠陥 ,  脱分極
準シソーラス用語： *光カソード ,  障壁層

分類 (4件)： 塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  X線回折法  (BK01020I) ,  電気化学反応  (CB07050F)

引用文献 (16件)：

• [1] D. T. Pierce and F. Meier, Phys. Rev. B 13, 5484 (1976).
• [2] D. T. Pierce, R. J. Celotta, G.-C. Wang, W. N. Unertl, A. Galejs, C. E. Kuyatt, and S .R. Mielczarek, Rev. Sci. Instrum. 51, 478 (1980).
• [3] T. Maruyama, E. L. Garwin, R. Prepost, G. H. Zapalac, J. S. Smith, and J. D. Walker, Phys. Rev. Lett. 66, 2376 (1991).
• [4] T. Nakanishi, H. Aoyagi, H. Horinaka, Y. Kamiya, T. Kato, S. Nakamura, T. Saka, and M. Tsubata, Phys. Lett. A 158, 345 (1991).
• [5] H. Aoyagi, H. Horinaka, Y. Kamiya, T. Kato, T. Kosugoh, S. Nakamura, T. Nakanishi, S. Okumi, T. Saka, M. Tawada, and M. Tsubata, Phys. Lett. A 167, 415 (1992).

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  GaAsP ,  超格子 ,  X線回折 ,  歪