研究者
J-GLOBAL ID：200901043991039324   更新日: 2024年03月05日

本久 順一

モトヒサ ジュンイチ | Motohisa Junichi
所属機関・部署：
北海道大学 大学院情報科学研究院 情報エレクトロニクス部門

北海道大学 大学院情報科学研究院 情報エレクトロニクス部門 について


職名： 教授
ホームページURL (1件)： http://hydrogen.rciqe.hokudai.ac.jp/~motohisa/pukiwiki
研究分野 (5件)： 光工学、光量子科学 ,  電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学 ,  結晶工学 ,  応用物性
研究キーワード (34件)： 選択成長 ,  有機金属気相成長 ,  量子ドット ,  結晶成長 ,  半導体 ,  フォトニック結晶 ,  表面超格子 ,  フォトルミネセンス ,  ヘテロ構造 ,  論理回路 ,  半導体ナノワイヤ ,  有機金属気相成長法 ,  再成長 ,  マスクパターン ,  線欠陥・点欠陥導入構造 ,  スーパーアトム ,  人工結晶 ,  多段原子ステップ ,  光取り出し効率 ,  原子ステップ ,  顕微フォトルミネセンス ,  ナノ構造周期配列構造 ,  人工原子 ,  フォトニックバンドギャップ ,  単一光子光源 ,  加工基板 ,  3角格子 ,  時間領域差分(FDTD)法 ,  電界効果トランジスタ ,  フォトニック結晶スラブ ,  半導体デバイス ,  半導体物性 ,  半導体ナノ構造 ,  半導体結晶成長
競争的資金等の研究課題 (38件)：
  • 2022 - 2026 ナノワイヤハイブリッド集積デバイスの創成
  • 2021 - 2025 Si-Ge系ヘテロ接合ナノワイヤによる縦型ナノワイヤHEMTデバイスの開発
  • 2020 - 2023 半導体ナノワイヤを用いたベクトル光波の発生
  • 2019 - 2022 Si/III-V異種接合によるナノワイヤ縦型トンネルFET立体集積回路技術の確立
  • 2019 - 2021 GaNによる特異構造を利用した縦型FETの作製と高性能化に向けた評価技術の検討
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論文 (253件)：
  • Masahiro Sasaki, Tomoya Akamatsu, Katsuhiro Tomioka, Junichi Motohisa. Size control of InP nanowires by in situ annealing and its application to the formation of InAsP quantum dots. Nanotechnology. 2024. 35. 19. 195604-195604
  • Junichi Motohisa, Akamatsu Tomoya, Okamoto Manami, Tomioka Katsuhiro. Characterization of nanowire light-emitting diodes with InP/InAsP heterostructures emitting in telecom band. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 3. 03SP08-03SP08
  • Hironori Gamo, Chen Lian, Junichi Motohisa, Katsuhiro Tomioka. Selective-Area Growth of Vertical InGaAs/GaSb Core-Shell Nanowires on Silicon and Dual Switching Properties. ACS Nano. 2023
  • Katsuhiro Tomioka, Kazuharu Sugita, Junichi Motohisa. Enhanced Light Extraction of Nano-Light-Emitting Diodes with Metal-Clad Structure Using Vertical GaAs/GaAsP Core-Multishell Nanowires on Si Platform. Advanced Photonics Research. 2023. 4. 7
  • Taiga Kunimoto, Shizuka Obara, Shinjiro Hara, Junichi Motohisa. Generation of cylindrical vector beam from GaAs/InGaAs/GaAs core-multishell nanowire cavity. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. SC. SC1072-SC1072
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MISC (130件)：
  • 小原康, 島内道人, 佐藤威友, 本久順一. 電気めっき法によるGaNへのPt電極の形成と電気特性評価. 応用物理学会北海道支部/日本光学会北海道支部合同学術講演会講演予稿集. 2020. 55th-16th
  • J. Motohisa, H. Kameda, M. Sasaki, S. Hara, K. Tomioka. Photoluminescence of Zn-Doped InP Nanowires: Mixing of Crystal Structures, Donor-Acceptor Pair Recombination, and Surface Effects. Collected Abstract of the 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS 2017), Matsue, Japan, July 31-August 4, 2017, TuP-33. 2017. 1-2
  • S. Yanase, H. Sasakura, S. Hara, J. Motohisa. Density Control of InP-based Nanowires and Nanowire Quanutm Dots. Collected Abstract of the 35th Electronic Materials Symposium (EMS-35), Moriyama, Japan, July 6-8, 2016, Th3-2. 2016. 1-2
  • T. Wada, S. Hara, J. Motohisa. Growth and Characterization of Vertical Nanocavity Using Core-Multishell Nanowires. Collected Abstract of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015), Sapporo, Japan, September 27-30, 2015, D-4-3. 2015. 1-2
  • 木下 康大, 池辺 将之, 本久 順一. 低振幅信号検出に向けた確率共鳴型Ring-delay-line ADC (集積回路). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2015. 115. 124. 33-36
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特許 (13件)：
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書籍 (5件)：
  • Fundamental properties of semiconductor nanowires
    Springer Nature Singapore 2021 ISBN:9789811590498
  • Nanowires and Nanotubes - Synthesis, Properties, Devices, and Energy Applications of One-Dimensional Materials: Volume 1439 (MRS Proceedings)
    Materials Research Society 2012 ISBN:1605114162
  • Semiconductor Nanostructures for Optoelectronic Devices: Processing, Characterization and Applications (NanoScience and Technology)
    Springer 2012 ISBN:3642224792
  • Lateral Alignment of Epitaxial Quantum Dots (NanoScience and Technology)
    Springer 2010 ISBN:3642079911
  • Physics and Applications of Semiconductor Quantum Structures
    Taylor & Francis 2001 ISBN:0750306378
講演・口頭発表等 (147件)：
  • 横方向成長させたGaAsナノワイヤの評価
    (応用物理学会秋季学術講演会講演 2013)
  • 複数位相型TDC付きシングルスロープADCの動作タイミングによる低電力化
    (電子情報通信学会技術研究報告 2013)
  • InGaAsナノワイヤの選択成長におけるV/III比の影響
    (応用物理学会春季学術講演会講演 2013)
  • 11bit5.1uW複数位相型TDC付きマルチスロープADC
    (電子情報通信学会大会 2013)
  • RF-MBE法によるGaN及びInGaNの成長と評価
    (応用物理学会北海道支部・日本光学会北海道地区合同学術講演会 2013)
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学位 (1件)：
  • 博士(工学) (東京大学)
経歴 (5件)：
  • 2020/04 - 現在 北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター センター長
  • 2006/04 - 現在 北海道大学 大学院・情報科学研究科 教授
  • 2001/04 - 2006/03 北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター 助教授
  • 1994/04 - 2001/03 北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター 助教授
  • 1993/04 - 1994/03 北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター 講師
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