特許
J-GLOBAL ID：201203045215731574
ナノワイヤ太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人創成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-045624
公開番号（公開出願番号）：特開2012-182389
出願日： 2011年03月02日
公開日（公表日）： 2012年09月20日
要約：
【課題】十分に光を吸収でき、優れた発電効率を備えるナノワイヤ太陽電池を提供する。【解決手段】ナノワイヤ太陽電池1は、半導体基板2から垂直方向に成長しており、半導体基板2上に平面視三角格子状に配置された複数のナノワイヤ半導体3を備える。ナノワイヤ半導体3の横断面に内接する内接円Cの直径をd、相隣り合うナノワイヤ半導体3,3同士の間隔をg、基板2表面からのナノワイヤ半導体3の高さをhとするときに、間隔gに対する高さhの比(h/g)が10〜40の範囲にあり、かつ、内接円Cの直径dが100〜300nmの範囲にある。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板から垂直方向に成長しており、該半導体基板上に平面視三角格子状に配置された複数のナノワイヤ半導体とを備えるナノワイヤ太陽電池において、
該ナノワイヤ半導体の横断面に内接する内接円の直径をd、相隣り合う該ナノワイヤ半導体同士の間隔をg、該基板表面からの該ナノワイヤ半導体の高さをhとするときに、間隔gに対する高さhの比(h/g)が10〜40の範囲にあり、かつ、内接円の直径dが100〜300nmの範囲にあることを特徴とするナノワイヤ太陽電池。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F151AA08
, 5F151CB08
, 5F151CB12
, 5F151CB21
