特許
J-GLOBAL ID：200903030639286993

多接合型太陽電池の製造方法

発明者：
後藤 肇

後藤 肇 について

, 
本久 順一

本久 順一 について

, 
福井 孝志

福井 孝志 について


出願人/特許権者：
本田技研工業株式会社

本田技研工業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人創成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-225684
公開番号（公開出願番号）：特開2009-105382
出願日： 2008年09月03日
公開日（公表日）： 2009年05月14日
要約：
【課題】4接合で、デバイスを大面積化できる多接合型太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】基板2上に形成された核生成サイトに基板2と同一材料からなる半導体2aをワイヤー状に成長させる。半導体2a上に、よりバンドギャップの狭い半導体3,4,5,6を順次ワイヤー状に成長させる。基板2上に形成された核生成サイトに半導体3を直接ワイヤー状に成長させてもよい。核生成サイトは、基板2上に非晶質SiO2被膜8aを形成し非晶質SiO2被膜8aの一部をエッチングすることにより形成することが好ましい。また、基板2上の核生成サイトを除く領域に、非晶質SiO2被膜8aを残存させることにより絶縁膜8を形成することが好ましい。半導体2aはGaP、半導体3はAl0.3Ga0.7As、半導体4はGaAs、半導体5はIn0.3Ga0.7As、半導体6はIn0.6Ga0.4Asである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に核生成サイトを形成する工程と、 第1の原料ガスを供給して、該核生成サイトに該基板と同一材料からなる第1の半導体をワイヤー状に成長させる工程と、 第2の原料ガスを供給して、第1の半導体上に、第1の半導体よりもバンドギャップの狭い第2の半導体からなる第1の単接合型太陽電池をワイヤー状に成長させる工程とを備えることを特徴とする多接合型太陽電池の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (1件)：
H01L31/04 E
Fターム (8件)：
5F051AA08 ,  5F051BA11 ,  5F051BA12 ,  5F051CA14 ,  5F051CB15 ,  5F051DA15 ,  5F051DA20 ,  5F051GA04
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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