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J-GLOBAL ID：200902218611642676   整理番号：06A0740066

C面4H-SiC基板上へのホモエピタキシャル成長

Homoepitaxial Growth on a 4H-SiC C-Face Substrate
著者 (4件)：
KOJIMA Kazutoshi

KOJIMA Kazutoshi について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について

, 
KURODA Satoshi

KURODA Satoshi について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について

, 
OKUMURA Hajime

OKUMURA Hajime について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について

, 
ARAI Kazuo

ARAI Kazuo について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について


資料名：
Chemical Vapor Deposition  (Chemical Vapor Deposition)

Chemical Vapor Deposition について


巻： 12  号： 8/9  ページ： 489-494  発行年： 2006年08月 
JST資料番号： W0908A  ISSN： 0948-1907  CODEN： CVDEFX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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SiCは高出力,高温駆動マイクロ波デバイス用材料として注目さ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*エピタクシー

エピタクシー について

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分類 (2件)：
分類
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半導体の結晶成長 
(BK13040X)

半導体の結晶成長 について

,  半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

物質索引 (1件)：
物質索引
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プロパン

プロパン について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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4H-SiC

4H-SiC について

, 
ホモ

ホモ について

, 
エピタキシャル成長

エピタキシャル成長 について


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