研究者
J-GLOBAL ID：200901047294980380   更新日: 2022年07月31日

針生 尚

ハリウ タカシ | Hariu Takashi
所属機関・部署：
旧所属 変更予定(茨城大学 工学部 システム工学科)

旧所属 変更予定(茨城大学 工学部 システム工学科) について


職名： 教授
ホームページURL (1件)： http://www.dse.ibaraki.ac.jp/
研究分野 (4件)： 電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学 ,  結晶工学 ,  応用物性
研究キーワード (4件)： Electron Devices and Apparatus Engineering ,  Electronic and Electric Materials Engineering ,  電子デバイス・機器工学 ,  電子・電気材料工学
競争的資金等の研究課題 (12件)：
  • 酸化チタン薄膜の特性制御
  • 酸化亜鉛薄膜のプラズマ・アシステド・エピタキシ
  • 水溶液中光化学反応のための半導体薄膜
  • ヘテロ接合の特性制御と評価
  • 化合物半導体の物性制御のための新しい方法
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MISC (29件)：
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書籍 (13件)：
  • 光エレクトロニクスデバイス改訂版
    培風館 1999
  • Optimization of initial layer for highly-mismatched heteroepitaxial growth : InSb on Si
    Proc. 23rd International Symposium on Compound Semiconductors 1997
  • Epitaxial growth of ZnSe in pure nitrogen plasma
    Proc. 3rd Asia-Pacific Conf. Plasma Science & Technology 1996
  • On the Optimum supply ratio in low temperature epitaxial growth of Compound Semiconductors
    Proc. 22nd International Symposium on Compound Semiconductors 1996
  • The effective species for nitrogen doping in ZnSe
    Proc. 22nd International Symposium on Compound Semiconductors 1996
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Works (7件)：
  • 化合物半導体の低温エピタキシァル成長
    1991 - 1993
  • Low temperature Epitaxial Growth of Compound Semiconductors
    1991 - 1993
  • 混晶エレクトロニクス
    1985 - 1987
  • Alloyed Semiconductor Physics & Electronics
    1985 - 1987
  • GaAs表面不活性膜の研究
    1980 - 1982
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学歴 (4件)：
  • - 1967 東北大学 工学研究科 電子工学
  • - 1967 東北大学
  • - 1961 東北大学 工学部 通信工学
  • - 1961 東北大学
学位 (1件)：
  • 工学博士 (東北大学)
経歴 (6件)：
  • 1971 - 1995 東北大学 助教授
  • 1971 - 1995 東北大学
  • 1972 - 1974 連合王国ニューカッスル大学 上級研究員
  • 1972 - 1974 University of Newcastle upon Tyne, Senior Research Associate
  • 1967 - 1971 東北大学 助手
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所属学会 (5件)：
表面技術協会 ,  MATERIAL RESEARCH SOCIETY ,  THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS ,  電子情報通信学会 ,  応用物理学会
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