研究者
J-GLOBAL ID：200901049962882410
更新日: 2020年06月05日
栗本 英治
クリモト エイジ | Kurimoto Eiji
所属機関・部署：
旧所属 大阪大学 大学院工学研究科 (専攻)応用物理学
旧所属 大阪大学 大学院工学研究科 (専攻)応用物理学 について
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職名：
大学院学生(博士課程)
研究分野 (3件)：
結晶工学
, 応用物性
, 半導体、光物性、原子物理
競争的資金等の研究課題 (8件)：
InNの欠陥研究
応力印加下におけるAlGaN/InGaN/GaN単量子井戸構造の光学的研究
MOCVD成長したInN膜の残留熱歪みのラマン評価
金属/ワイドバンドギャップ半導体界面反応の光学的研究
Optical detection of major defects in InN
Optical Study on AlGaN/InGaN/GaN Single Quantum Well Structures under External Strain
Raman Characterization of Residual Thermal Strain in MOCVD-grown InN Films
Optical Study on Metal/Wide-bandgap Semiconductor Interface Reaction
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MISC (8件)：
E Kurimoto, H Harima, T Toda, M Sawada, M Iwami, S Nakashima. Raman study on the Ni/SiC interface reaction. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2002. 91. 12. 10215-10217
E Kurimoto, H Harima, T Toda, M Sawada, M Iwami, S Nakashima. Raman study on the Ni/SiC interface reaction. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2002. 91. 12. 10215-10217
E Kurimoto, H Harima, A Hashimoto, A Yamamoto. MOCVD growth of high-quality InN films and Raman characterization of residual stress effects. PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH. 2001. 228. 1. 1-4
KURIMOTO E, TAKAHASHI M, HARIMA H, MOURI H, FURUKAWA K, ISHIDA M, TANEYA M. Optical Studies on AlGaN/InGaN/tiaN Single Quantum-Well Structures under External Strains. Physica status solidi(b). 2001. 228. 1. 103-106
MOCVD Growth of High-Quality InN Films and Raman Charactenization of Residual Stress Effects. Physica Status solidic(b). 2001. 228,1, 1
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Works (9件)：
Optical detection of major defects in InN
2002 -
InGaN量子井戸中のピエゾ電界効果の測定
1999 - 2001
GaN中のMg局在振動モード観察
1999 - 2001
Observation of Piezoelectric Field Effect in InGaN SQW
1999 - 2001
Observation of Local Vibrational Modes of Mg in GaN
1999 - 2001
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学歴 (4件)：
- 2001 大阪大学 工学研究科 応用物理学
- 2001 大阪大学
- 1999 大阪大学 工学部 応用自然科
- 1999 大阪大学
学位 (1件)：
修士(工学) (大阪大学)
所属学会 (1件)：
応用物理学会
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