Ni/SiCの界面反応のRaman分光

KURIMOTO E; HARIMA H; TODA T; SAWADA M; IWAMI M; NAKASHIMA S

文献

J-GLOBAL ID：200902173342206372 整理番号：02A0578015

Ni/SiCの界面反応のRaman分光

Raman study on the Ni/SiC interface reaction.

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著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 91 号： 12 ページ： 10215-10217 発行年： 2002年06月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

両面研磨6H-SiCウエハ上に200nm厚のNi層を堆積し,...

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金属薄膜 , 金属の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル , その他の無触媒反応

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