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J-GLOBAL ID：200902190881905618   整理番号：02A0053103

高品質InN膜のMOCVD成長及び残留応力効果のRaman研究

MOCVD Growth of High-Quality InN Films and Raman Characterization of Residual Stress Effects.
著者 (4件)：
KURIMOTO E

KURIMOTO E について

(Osaka Univ., Osaka, JPN)

Osaka Univ., Osaka, JPN について

, 
HARIMA H

HARIMA H について

(Osaka Univ., Osaka, JPN)

Osaka Univ., Osaka, JPN について

, 
HASHIMOTO A

HASHIMOTO A について

(Fukui Univ., Fukui, JPN)

Fukui Univ., Fukui, JPN について

, 
YAMAMOTO A

YAMAMOTO A について

(Fukui Univ., Fukui, JPN)

Fukui Univ., Fukui, JPN について


資料名：
Physica Status Solidi. B. Basic Research  (Physica Status Solidi. B. Basic Research)

Physica Status Solidi. B. Basic Research について


巻： 228  号： 1  ページ： 1-4  発行年： 2001年11月01日 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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InN厚膜を金属有機化学蒸着(MOCVD)でサファイアc-面...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*窒化インジウム

窒化インジウム について

,...
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分類 (1件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

タイトルに関連する用語 (7件)：
タイトルに関連する用語
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高品質

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InN

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MOCVD

MOCVD について

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成長

成長 について

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残留

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応力効果

応力効果 について

, 
研究

研究 について


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