AlNスペーサ層を使ったAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタのdc特性の改善

文献

J-GLOBAL ID：200902172455401957 整理番号：02A0809532

Improvement of DC Characteristics in AlGaN/GaN Heterojunction Field-Effect Transistors Employing AlN Spacer Layer.

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巻： 41 号： 9 ページ： 5563-5564 発行年： 2002年09月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

AlNスペーサ層を使ったAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果...

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トランジスタ

引用文献 (10件)：

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