文献

J-GLOBAL ID：200902125189277155   整理番号：03A0083995

プラズマ支援分子ビームエピタクシーにおけるGaN膜の質に成長中断中のSi照射が及ぼす影響

Roles of Si Irradiation during the Growth Interruption on GaN Film Qualities in Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy.

著者 (5件)： SHEN X-Q (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  CHO H-K (Dong-A Univ., Busan, KOR) ,  IDE T (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  SHIMIZU M (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  OKUMURA H (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41  号： 12B  ページ： L1428-L1430  発行年： 2002年12月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ支援分子ビームエピタクシーにおいて,GgN成長中断中...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0083995&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (16件)：

• 1) S. Strite and H. Morkoc: J. Vac. Sci. & Technol. B 10 (1992) 1237.
• 2) S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L1332.
• 3) A. Sakai, H. Sunakawa and A. Usui: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2259.
• 4) S. Tanaka, M. Takeuchi and Y. Aoyagi: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L831.
• 5) S. Sakai, T. Wang, Y. Morishima and Y. Naoi: J. Cryst. Growth 221 (2000) 334.

タイトルに関連する用語 (8件)： プラズマ ,  支援 ,  分子ビームエピタクシー ,  GaN ,  質 ,  成長 ,  中断 ,  Si