研究者
J-GLOBAL ID:200901053354827454   更新日: 2020年08月29日

野村 一郎

ノムラ イチロウ | Ichiro Nomura
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (3件): 電子デバイス、電子機器 ,  光工学、光量子科学 ,  応用物性
研究キーワード (7件): III-V族化合物半導体 ,  分子線エピタキシー ,  発光ダイオード ,  半導体レーザ ,  II-VI族化合物半導体 ,  エピタキシャル成長 ,  光デバイス
競争的資金等の研究課題 (2件):
  • 2018 - 2021 InP基板上II-VI族半導体によるサブバンド間遷移光デバイスの新展開
  • 2014 - 2017 タイプIIヘテロ新材料の開発とデバイス応用に向けた研究
論文 (56件):
特許 (2件):
  • 光電変換機能素子
  • II-VI族化合物半導体結晶および光電変換機能素子
書籍 (2件):
  • 『Wide Bandgap Semiconductors, Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices』 「BeZnSeTe-Based Green LEDs」
    Springer 2007 ISBN:9783540472346
  • 『ワイドギャップ半導体光・電子デバイス』 「BeZnSeTe系緑色LED」
    森北出版 2006 ISBN:9784627773219
講演・口頭発表等 (214件):
  • InGaN/GaN規則配列ナノコラムLEDに向けたAlN埋め込み絶縁膜の形成
    (第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017)
  • InP基板上MgSe/ZnCdSe共鳴トンネルダイオードにおける電極材料の検討
    (第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017)
  • InP基板上MgSe/ZnCdSeヘテロ接合における伝導帯バンド不連続のn-i-nダイオードによる評価
    (第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017)
  • InP基板上ZnCdSe/MgZnCdSe/MgZnSeTe可視光デバイスにおける正孔注入構造の検討
    (第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017)
  • n-i-nダイオードを用いたInP基板上ZnCdSe/BeZnTeヘテロ障壁の評価
    (第64回応用物理学会春季学術講演会 2017)
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学位 (3件):
  • 工学士 (上智大学)
  • 工学修士 (上智大学)
  • 博士(工学) (上智大学)
受賞 (1件):
  • 1995 - 井上研究奨励賞
所属学会 (1件):
応用物理学会
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