研究者
J-GLOBAL ID:200901053354827454   更新日: 2024年02月01日

野村 一郎

ノムラ イチロウ | Ichirou Nomura
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (3件): 電子デバイス、電子機器 ,  光工学、光量子科学 ,  応用物性
研究キーワード (7件): III-V族化合物半導体 ,  分子線エピタキシー ,  発光ダイオード ,  半導体レーザ ,  II-VI族化合物半導体 ,  エピタキシャル成長 ,  光デバイス
競争的資金等の研究課題 (19件):
  • 2019 - 2022 ナノコラム結晶による三原色集積型発光デバイスの革新
  • 2018 - 2021 InP基板上II-VI族半導体によるサブバンド間遷移光デバイスの新展開
  • 2014 - 2017 タイプIIヘテロ新材料の開拓とデバイス応用に向けた研究
  • 2012 - 2016 ナノ結晶効果によるエネルギー・環境適合デバイスの革新
  • 2010 - 2012 高性能緑色域半導体レーザに向けた新ヘテロ材料の開拓
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論文 (59件):
MISC (13件):
  • 野間 友博, 林 宏暁, 福島 大史, 今野 裕太, 野村 一郎, 岸野 克巳. スパッタ膜上への窒化物単結晶pinナノコラム作製 (レーザ・量子エレクトロニクス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2014. 114. 338. 117-120
  • 野村 一郎, 岸野 克巳, 蛯沢 智也, 櫛田 俊, 田才 邦彦, 中村 均, 朝妻 庸紀, 中島 博. 緑色半導体レーザに向けたInP基板上II-VI族材料の開拓. 電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス. 2008. 108. 351. 53-58
  • 岸野 克巳, 野村 一郎. InP基板上II-VI族材料による黄緑色半導体レーザの作製. 電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス. 2003. 103. 527. 45-48
  • SHINOZAKI Wataru, NOMURA Ichirou, SHIMBO Hiroyuki, HATTORI Hiroshi, SANO Takashi, CHE Song-Bek, KIKUCHI Akihiko, SHIMOMURA Kazuhiko, KISHINO Katsumi. Crystal Growth and Characterization of II-VI Compound Light Emitting Diodes with Novel Superlattice Quasi-Quaternary Cladding Layers on InP Substrates. Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials. 1998. 1998. 354-355
  • HATTORI Hiroshi, NOMURA Ichirou, SHINBO Hiroyuki, NAGANO Takeshi, HARAGUCHI Masaru, MORITA Toshihiro, KIKUCHI Akihiko, KISHINO Katsumi. Absorption Coefficient Measurements of MgZnCdSe II-VI Compounds on InP Substrates and Quantum Confined Stark Effect in ZnCdSe/MgZnCdSe Multiple Quantum Wells. Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials. 1997. 1997. 216-217
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特許 (2件):
  • 光電変換機能素子
  • II-VI族化合物半導体結晶および光電変換機能素子
書籍 (2件):
  • 『Wide Bandgap Semiconductors, Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices』 「BeZnSeTe-Based Green LEDs」
    Springer 2007 ISBN:9783540472346
  • 『ワイドギャップ半導体光・電子デバイス』 「BeZnSeTe系緑色LED」
    森北出版 2006 ISBN:9784627773219
講演・口頭発表等 (263件):
  • Red emission thin nanocolumns with diameters less than 200 nm prepared by nano-template selective area growth
    (The International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-20) 2023)
  • Growth of GaInN/GaInN MQWs on nanocolumns with thick GaInN buffer layer using RF-MBE
    (The International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-20) 2023)
  • 発光径Φ5μmのナノコラム発光デバイスの作製
    (第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
  • φ2.2μm 発光径InGaN 系ナノコラムLED の作製
    (第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
  • 窒素RF パワー変化によるナノコラム結晶のGaInN バッファ層形状均一化の検討
    (第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
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学位 (3件):
  • 工学士 (上智大学)
  • 工学修士 (上智大学)
  • 博士(工学) (上智大学)
受賞 (1件):
  • 1995 - 井上研究奨励賞
所属学会 (1件):
応用物理学会
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