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J-GLOBAL ID：201902240794870306   整理番号：19A0626053

InP基板上のII-VI化合物半導体光学素子のn側構造の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of the n-side structures of II-VI compound semiconductor optical devices on InP substrates

著者 (3件)： Ishii Kenta (Department of Engineering and Applied Sciences, Sophia University, Japan) ,  Amagasu Ryosuke (Department of Engineering and Applied Sciences, Sophia University, Japan) ,  Nomura Ichirou (Department of Engineering and Applied Sciences, Sophia University, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 512  ページ： 96-99  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n-ドープZnCdSeとn-MgSe/ZnCdSe SLまたはn-MgZnCdSe層から成るn型試料を,分子線エピタクシーによりn-InP基板上に作製した。MgSe/ZnCdSe超格子(SL)とn-MgZnCdSe四元を,InP基板上のII-VI化合物半導体光学素子のnクラッド層材料として調べた。試料の注入電流密度対印加電圧(J-V)特性から,MgZnCdSe試料の印加電圧と抵抗率はSL試料のそれらより低いことが分かった。これはMgZnCdSeがnクラッド層により適していることを示している。一方,Schottky特性は両試料で観測され,n-ZnCdSeとSL又はMgZnCdSe層間の伝導帯ヘテロ障壁に起因した。Schottky特性は,II-VI光学素子の高い印加電圧を引き起こす。この問題(すなわち,Schottky特性)を解決するために,n-ZnCdSeとMgZnCdSe層の間の界面におけるZnCdSe/MgZnCdSe傾斜SLの組込みを提案した。J-V特性から,Schottky特性と印加電圧は傾斜SLを導入することにより減少することを確認した。このことは,傾斜SLがInP基板上のII-VI光学素子の印加電圧を下げるのに有効であることを示している。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *基板 ,  ドーピング ,  *光学素子 ,  *化合物半導体 ,  MBE成長 ,  *リン化インジウム ,  電流密度 ,  超格子 ,  電気抵抗率 ,  伝導バンド ,  *半導体
準シソーラス用語： 印加電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A3超格子 ,  A3分子ビームエピタクシー ,  B2半導体II-VI材料 ,  B3ヘテロ接合半導体デバイス

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： InP ,  II-VI化合物半導体 ,  光学素子 ,  研究