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J-GLOBAL ID：201502247272173081   整理番号：15A0192714

スパッタ膜上への窒化物単結晶pinナノコラム作製

Fabrication of single crystalline p-i-n nanocolumns array on a sputter-deposited thin film

著者 (6件)： 野間友博 (上智大 理工) ,  林宏暁 (上智大 理工) ,  福島大史 (上智大 理工) ,  今野裕太 (上智大 理工) ,  野村一郎 (上智大 理工) ,  岸野克巳 (上智大 理工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 114  号： 336(ED2014 73-97)  ページ： 117-120  発行年： 2014年11月20日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 紫外から赤外に亘るバンドギャップエンジニアリングが可能な窒化物は魅力的な材料である。しかしながら,含有欠陥の多さからその特長が制限されている。本研究では欠陥低減を特長とする窒化物ナノコラムを,大面積/低コスト化が望めるSiウェハへ作製した。Siウェハでは窒化物成長が困難であるため,スパッタ成膜したAlNを核形成層として用いた。TEM評価と,市販GaN基板に対して5.6倍強いPL発光強度を示したことより,無数の転位を含んだスパッタ膜上であってもナノコラム成長法によって高い結晶性の単結晶作製に成功した。このナノコラムにInGaN多重量子井戸を発光層として搭載し,可視域の広い範囲に渡る単峰性のPLスペクトルを得るとともに,パターニングによりPLピーク波長が制御できることを示した。(著者抄録)

シソーラス用語： *スパッタ蒸着 ,  *蒸着膜 ,  ケイ素 ,  *ウエハ【IC】 ,  *窒化アルミニウム ,  *ナノ構造 ,  *柱状晶 ,  *薄膜成長 ,  核形成 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  光ルミネセンス ,  放射強度 ,  *単結晶 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  多重量子井戸 ,  層 ,  パターン形成
準シソーラス用語： ナノコラム ,  発光強度 ,  InGaN ,  発光層

分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  発光素子  (NC03082G)

引用文献 (8件)：

• M. Yoshizawa, A. Kikuchi, M. Mori, N. Fujita, and K. Kishino, ” Growth of Self-Organized GaN Nanostructures on Al2O3(0001) by RF-Radical Source Molecular Beam Epitaxy”. Jpn. J. Appl. Phys, Vol.36, pp.L459-462, Apr.1997.
• K. Kishino, H. Sekiguchi, and A. Kikuchi, ” Improved Ti-mask selective-area growth (SAG) by rf-plasma-assisted molecular beam epitaxy demonstrating extremely uniform GaN nanocolumn arrays”. J. Cryst. Growth, Vol.311, pp.L2063-2068, Mar.2009.
• H. Hayashi, T. Ozaki, I. Matsuyama, A. Mizuno, A. Yanagihara, and K. Kishino, ”Selective area growth of well-ordered GaN nanocolumn arrays on sputter-deposited AlN buffers/Si (111) substrates by RF -plasma assisted MBE”, 10th International Conference on Nitride Semiconductors A8.05, Aug.2013.
• D. Fukushima, H. Hayashi, Y. Konnno, and K. Kishino, ” Mechanism of raising nitride nanocolumns quality on a sputter-deposited AlN/Si (111) substrate”, 2014 Materials Research Society fall meeting and exhibition, LL5-25, Nov.2014.
• A. Watanabe, T. Takeuchi, K. Hirosawa, H. Amano, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, ” The growth of single crystalline GaN on a Si substrate using AlN as an intermediate layer”, J. Cryst. Growth, Vol.128, pp.391-396, Mar.1993.

タイトルに関連する用語 (5件)： スパッタ膜 ,  窒化物 ,  単結晶 ,  ナノコラム ,  作製