研究者
J-GLOBAL ID:200901055863021500
更新日: 2020年04月30日
坊山 晋也
ボウヤマ シンヤ | Boyama Shinya
所属機関・部署:
旧所属 三重大学 大学院工学研究科 材料科学専攻
旧所属 三重大学 大学院工学研究科 材料科学専攻 について
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研究分野 (2件):
結晶工学
, 応用物性
競争的資金等の研究課題 (1件):
2000 - 2005 ハイドライド気相エピタキシャル成長法によるIII族窒化物半導体結晶成長に関する研究
MISC (7件):
Growth of high-quality GaN on FACELO substrate by raised-pressure HVPE. Physica Status Solidi (c). 2003. 0. 2159-2162
High quality GaN Grown by Raised-Pressure HVPE. physica status solidi (a). 2002. 194. 528-531
Carrier gas dependence of ELO GaN grown by hydride VPE. Journal of Crystal Growth. 2002. 237-239, 1055-1059
S Bohyama, K Yoshikawa, H Naoi, H Miyake, K Hiramatsu, Y Iyechika, T Maeda. Distribution of threading dislocations in epitaxial lateral Overgrowth GaN by hydride vapor-phase epitaxy using mixed carrier gas of H-2 and N-2. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2002. 41. 1. 75-76
High Quality GaN Grown by Raised-Pressure HVPE. physica status solidi (a). 2002. 194. 528-531
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学歴 (4件):
- 2002 三重大学 工学研究科 電気電子工学
- 2002 三重大学
- 2000 三重大学 工学部 電気電子工学科
- 2000 三重大学
学位 (1件):
修士(工学) (三重大学)
所属学会 (2件):
応用物理学会
, The Japan Society of Applied Physics
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