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J-GLOBAL ID：200902102538468508   整理番号：03A0079037

昇圧HVPEによる高品質GaN成長

High Quality GaN Grown by Raised-Pressure HVPE.

著者 (7件)： BOHYAMA S (Mie Univ., Mie, JPN) ,  YOSHIKAWA K (Mie Univ., Mie, JPN) ,  NAOI H (Mie Univ., Mie, JPN) ,  MIYAKE H (Mie Univ., Mie, JPN) ,  HIRAMATSU K (Mie Univ., Mie, JPN) ,  IYECHIKA Y (Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN) ,  MAEDA T (Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applied Research  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 194  号： 2  ページ： 528-531  発行年： 2002年12月16日 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 0031-8965  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化物気相エピタクシー(HVPE)法によるGaNの成長に及...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...
準シソーラス用語： 圧力依存性 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 昇圧 ,  HVPE ,  高品質 ,  GaN ,  成長