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J-GLOBAL ID：200902146354084925   整理番号：02A0191174

H2とN2の混合キャリアガスを用いた,水素化物気相エピタクシーによりエピタキシャル横方向成長したGaNにおける貫通転位の分布

Distribution of Threading Dislocations in Epitaxial Lateral Overgrowth GaN by Hydride Vapor-Phase Epitaxy Using Mixed Carrier Gas of H2 and N2.
著者 (7件)：
BOHYAMA S

BOHYAMA S について

(Mie Univ., Mie, JPN)

Mie Univ., Mie, JPN について

, 
YOSHIKAWA K

YOSHIKAWA K について

(Mie Univ., Mie, JPN)

Mie Univ., Mie, JPN について

, 
NAOI H

NAOI H について

(Mie Univ., Mie, JPN)

Mie Univ., Mie, JPN について

, 
MIYAKE H

MIYAKE H について

(Mie Univ., Mie, JPN)

Mie Univ., Mie, JPN について

, 
HIRAMATSU K

HIRAMATSU K について

(Mie Univ., Mie, JPN)

Mie Univ., Mie, JPN について

, 
IYECHIKA Y

IYECHIKA Y について

(Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN)

Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN について

, 
MAEDA T

MAEDA T について

(Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN)

Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN について


資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers について


巻： 41  号： 1  ページ： 75-76  発行年： 2002年01月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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エピタキシャル横方向成長(ELO)はGaNエピタキシャル層の...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*気相成長

気相成長 について

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エピタキシャル成長

エピタキシャル成長 について


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分類 (2件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

,  半導体の格子欠陥 
(BK12040Q)

半導体の格子欠陥 について

タイトルに関連する用語 (9件)：
タイトルに関連する用語
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H2

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N2

N2 について

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キャリアガス

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水素化物気相エピタクシー

水素化物気相エピタクシー について

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エピタキシャル

エピタキシャル について

, 
横方向成長

横方向成長 について

, 
GaN

GaN について

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貫通転位

貫通転位 について

, 
分布

分布 について


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