研究者
J-GLOBAL ID：200901056228804723
更新日: 2020年08月29日
稲垣 剛
イナガキ タケシ | Inagaki Takeshi
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所属機関・部署：
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 物質創成科学専攻 物質創成科学研究科
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職名：
助教
研究分野 (3件)：
数理物理、物性基礎
, 磁性、超伝導、強相関系
, 半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (3件)：
光物性.半導体.誘電体
, Semiconductor and Dielectvics
, Solid Stute PhysicsI (Optical Properties
競争的資金等の研究課題 (4件)：
光励起された高密度電子正孔系における巨視的量子効果
場の理論による、非平衡統計力学に関する研究
Macroscopic Quantum Effects Optically excited dense Electron-Hole Systems
Non-Equilibrium Statistical Mechanics by Quantum Field Theory
MISC (33件)：
T. J. Inagaki, A. Miyake, M. Aihara. Ring shape photoluminescence profiles in two dimensional semiconductors. J. Phys. Soc. Jpn. 2007. 76. 114705
K Mizoo, TJ Inagaki, Y Ueshima, M Aihara. Enhancement of the electron-hole BCS order by energy band anisotropy in highly photoexcited semiconductors. JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN. 2006. 75. 4. 044401
K Mizoo, TJ Inagaki, Y Ueshima, M Aihara. Effects of effective mass anisotropy and effective mass difference in highly photoexcited semiconductors. JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN. 2005. 74. 6. 1745-1749
T Nagai, TJ Inagaki, Y Kanemitsu. Band-gap renormalization in highly excited GaN. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2004. 84. 8. 1284-1286
TJ Inagaki, M Aihara. Macroscopic quantum state in optically driven semiconductors: Crossover from electron-hole BCS to exciton Bose condensation. PHASE TRANSITIONS. 2002. 75. 7-8. 971-978
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学歴 (4件)：
- 1993 慶應義塾大学 理工学研究科 物理学
- 1993 慶應義塾大学
- 1988 慶應義塾大学 理工学部 物理学
- 1988 慶應義塾大学
学位 (1件)：
博士(理学)
受賞 (1件)：
1999 - ICL'99 Young Researcher Award
所属学会 (1件)：
日本物理学会
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