(100)および(111)シリコン基板上のポリシリコンゲートHfO<sub>2</sub> MOSFETの特性

ONISHI K; KANG C S; CHOI R; CHO H-J; KIM Y H; KRISHNAN S; AKBAR M S; LEE J C

文献

J-GLOBAL ID：200902242036650007 整理番号：03A0487140

(100)および(111)シリコン基板上のポリシリコンゲートHfO₂ MOSFETの特性

Performance of Polysilicon Gate HfO₂ MOSFETs on (100) and (111) Silicon Substrates

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=03A0487140&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0487140&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0344B") }}

著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 24 号： 4 ページ： 254-256 発行年： 2003年04月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

高kゲート誘電体は,ゲートリーク電流を増大させることの無い微...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0487140&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0344B") }}

トランジスタ

, ,

前のページに戻る

(100)および(111)シリコン基板上のポリシリコンゲートHfO2 MOSFETの特性

(100)および(111)シリコン基板上のポリシリコンゲートHfO₂ MOSFETの特性