文献

J-GLOBAL ID：201502205856401510   整理番号：15A0532130

InAs量子ドットLEDの発光波長制御に関する検討

Emission wavelength control of InAs QDs LED

著者 (1件)： 下村和彦 (上智大 理工)
資料名： 映像情報メディア学会技術報告
巻： 39  号： 12(IDY2015 14-18)  ページ： 15-20  発行年： 2015年03月06日 
JST資料番号： S0209A  ISSN： 1342-6893  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 有機金属気相成長法によるInAs量子ドットの発光波長制御に関して検討を行った。SiO₂マスクを用いた選択成長によりアレイ導波路ごとの発光波長御,ダブルキャップ法による量子ドット高さの制御,さらにInAsの下地層であるGaInAsバッファ層の組成制御により量子ドットの発光波長を広帯域で変える成長条件を検討した。そしてこれらの構造を用いたLEDを作製し,600nmを超える発光半値幅とフラットトップスペクトルを得た。(著者抄録)

シソーラス用語： *量子ドット ,  ヒ化インジウム ,  *発光ダイオード ,  発光スペクトル ,  周波数制御 ,  MOCVD ,  被覆 ,  気相成長 ,  光導波路 ,  アレイ回路 ,  化学組成 ,  量子ドットレーザ ,  InAs量子ドット ,  組成制御
準シソーラス用語： *LED ,  アレイ導波路 ,  波長制御 ,  有機金属化学気相成長法 ,  有機金属気相成長被覆

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  発光素子  (NC03082G)

引用文献 (16件)：

• Y. Arakawa, H. Sasaki, "Multidimensional quantum well laser and temperature dependence of its threshold current", Appl. Phys. Lett., vol.40, pp.939-941, 1982.
• M. Aoki, H. Sano, M. Suzuki, M. Takahashi, K. Uomi, A. Takai, "Novel structure MQW electroabsorption modulator/DFB-laser integrated device fabricated by selective area MOCVD growth", Electron. Lett., vol.27, pp.2138-2140, 1991.
• T. Sasaki, M. Kitamura, I. Mito, "Selective metalorganic vapor phase epitaxial growth of InGaAsP / InP layers with bandgap energy control in InGaAs / InGaAsP multiple-quantum well structures", J. Crystal Growth, vol.132, pp.435-443, 1993.
• J. Tatebayashi, M. Nishioka, T. Someya, Y. Arakawa, "Area-controlled growth of InAs quantum dots and improvement of density and size distribution", Appl. Phys. Lett, vol.77, Issue.21, pp.3382-3384, 2000.
• T.Kihara, Y.Nitta, H.Suda, K.Miki, and K.Shimomura, "Wavelength control of arrayed waveguide by MOVPE selective area growth," J. Crystal Growth, vol.V221, pp.196-200, Dec. 2000.

タイトルに関連する用語 (3件)： InAs量子ドット ,  LED ,  波長制御