毛利真一郎

モウリシンイチロウ | MOURI SHINICHIRO

所属機関・部署：
職名：准教授
ホームページURL (1件)： https://www.genshiso.com/

研究分野 (9件)：ナノ材料科学 , 結晶工学 , 電気電子材料工学 , 半導体、光物性、原子物理 , 光工学、光量子科学 , 薄膜、表面界面物性 , ナノ材料科学 , ナノ構造物理 , 結晶工学

研究キーワード (10件)：光誘起相転移 , 光デバイス , 遷移金属ダイカルコゲナイド , 太陽電池 , グラフェン , カーボンナノチューブ , ナノ分光 , 光物性 , 原子層材料 , 原子層材料、光物性、ナノ分光、カーボンナノチューブ、グラフェン、太陽電池、遷移金属ダイカルコゲナイド、光デバイス、光誘起相転移

競争的資金等の研究課題 (11件)：

2021 - 2024 モアレ超格子を利用したファンデルワールスエピタキシー技術の開拓
2021 - 2024 高圧高温熱処理による高品質インジウム系窒化物半導体の創製と熱電素子応用
2021 - 2024 原子層モアレ超格子系におけるフォノン物性の解明と制御
2022 - 原子層半導体のデバイス応用へ向けたリモートドーピング技術の開発
2018 - 2019 窒化物半導体ナノコラムを用いた無機有機ハイブリッド構造の創製と太陽電池応用

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論文 (64件)：

Naoya Mokutani, Momoko Deura, Shinichiro Mouri, Kanako Shojiki, Shiyu Xiao, Hideto Miyake, Tsutomu Araki. Control of Metal-Rich Growth for GaN/AlN Superlattice Fabrication on Face-to-Face-Annealed Sputter-Deposited AlN Templates. Physica status solidi B. 2023. 2300061
Yuichi Wada, Momoko Deura, Yuya Kuroda, Naoki Goto, Seiya Kayamoto, Takashi Fujii, Shinichiro Mouri, Tsutomu Araki. Substrate Terrace Width Dependence of Direct Growth of GaN on ScAlMgO₄ by Radio-Frequency Molecular Beam Epitaxy. Physica status solidi B. 2023. 202300029-1-202300029-7
Tsutomu Araki, Seiya Kayamoto, Yuuichi Wada, Yuuya Kuroda, Daiki Nakayama, Naoki Goto, Momoko Deura, Shinichiro Mouri, Takashi Fujii, Tsuguo Fukuda, et al. Direct growth of GaN film on ScAlMgO4 substrate by radio-frequency plasma-excited molecular beam epitaxy. Applied Physics Express. 2023. 16. 2
R. Moriya, J. Kikawa, S. Mouri, T. Shinohe, S. Xiao, H. Miyake, T. Araki. Cathodoluminescence Study of m-Plane α-Ga2O3 Grown by Mist Chemical Vapor Deposition. Phys. Status Solidi B 2100598. 2022. 2100598
T. Araki, F. B. Abas, R. Fujita and S. Mouri. Repeatability and Mechanisms of Threading Dislocation Reduction in InN Film Grown with In Situ Surface Modification by Radical Beam Irradiation. Journal of the Society of Materials Science. 2021. 70. 10. 732-737

MISC (19件)：

鈴木拓輝, 佐藤希一, 藤井高志, 毛利真一郎, 荒木努, 岩本敏志, 佐藤幸徳, 上田悠貴, 成塚重弥. THz透過測定とTHzエリプソメトリー測定を用いたグラフェン/サファイアの電気特性評価. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2020. 2020.2. 2287-2287
藤井高志, 毛利真一郎, 荒木努, 上田悠貴, 成塚重弥, 岩本敏志. 電極を用いないサファイア上グラフェンの電気特性測定. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2019. 2019.2. 3832-3832
佐藤希一, 藤井高志, 藤井高志, 毛利真一郎, 荒木努, 石地耕太郎, 岩本敏志, 杉江隆一. THz-TDSEによる3層構造SiCウエハのバッファ層の電気特性評価. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2019. 66th
佐藤希一, 藤井高志, 藤井高志, 荒木努, 毛利真一郎, 石地耕太朗, 岩本敏志, 杉江隆一. THz-TDSEによるイオン注入した4H-SiCの電気特性評価. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2019. 80th
Shinichiro Mouri, Wenjin Zhang, Daichi Kozawa, Yuhei Miyauchi, Goki Eda, Kazunari Matsuda. Thermal dissociation of inter-layer excitons in MoS2/MoSe2 hetero-bilayers (vol 9, pg 6674, 2017). NANOSCALE. 2017. 9. 22. 7686-7686

書籍 (2件)：

ラマン分光スペクトルデータ解析事例集 7章8節ラマン分光を用いた架橋ツイスト2層グラフェンの熱伝導計測
株式会社技術情報協会 2022
カルコゲナイド系層状物質の最新研究第3編第4章光電変換材料としての遷移金属ダイカルコゲナイド
シーエムシー出版 2016 ISBN:9784781311661

講演・口頭発表等 (299件)：

MBE法を用いたファンデルワールスエピタキシーによる転写可能なInGaN成長
(2024年春季第71回応用物理学会学術講演会 2024)
ミストCVD法によるα-Ga2O3のリモートヘテロエピタキシー
(2024年春季第71回応用物理学会学術講演会 2024)
Nanolaminated Mist CVD High-κ AlOx/TixAl1-xOy/TiO2 films on P+-Si for TMDCs-MOSFETs
(2024年春季第71回応用物理学会学術講演会 2024)
Performance Analysis of MoS2/WSe2 Complementary Field-Effect Transistors
(2024年春季第71回応用物理学会学術講演会 2024)
Growth of MoS2 on Al1-xTixOy by Chemical Vapor Deposition
(第66回フラーレンナノチューブグラフェン学会総合シンポジウム(FNTG) 2024)

学歴 (8件)：

- 2008 京都大学理学研究科物理学・宇宙物理学専攻
- 2008 京都大学理学研究科
- 2008 京都大学大学院理学研究科物理学・宇宙物理学専攻
- 2004 京都大学理学研究科物理学・宇宙物理学専攻
- 2004 京都大学理学研究科

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学位 (1件)：

理学博士 (京都大学)

経歴 (5件)：

2016/04 - 2021/03 立命館大学理工学部助教
2011/04 - 2016/03 京都大学エネルギー理工学研究所研究員・ポスドク
2009/03 - 2011/03 千葉大学先進科学センター助教
2008/04/01 - 2009/02/28 京都大学物質細胞統合拠点研究員
2008/04 - 2009/02 京都大学研究員・ポスドク

委員歴 (3件)：

2019/03 - 2021/02 電子材料シンポジウム電子材料シンポジウム実行委員会会場委員
2018/04 - 2019/03 日本物理学会領域7運営委員
2017/03 - 2018/09 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会若手研究会幹事幹事

受賞 (1件)：

2013/03 - 京都大学エネルギー理工学研究所平成24年度京都大学エネルギー理工学研究所研究奨励賞

所属学会 (5件)：

Material research society , 日本結晶成長学会 , フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会 , 応用物理学会 , 日本物理学会

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