特許
J-GLOBAL ID：201303047448220758
抵抗変化型メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山田 卓二
, 田中 光雄
, 川端 純市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-256096
公開番号（公開出願番号）：特開2013-058792
出願日： 2012年11月22日
公開日（公表日）： 2013年03月28日
要約：
【課題】従来技術に比較して高い再現性で確実に抵抗のヒステリシス特性及びメモリ特性を発現させることができる抵抗変化型メモリとその製造方法を提供する。【解決手段】PrxCa1-xMnO3にてなるPCMO層を下部電極と上部電極とにより挟設してなる抵抗変化型メモリにおいて、上記PCMO層と上記上部電極もしくは下部電極との間に金属酸化物層を挿入形成した。ここで、上記金属酸化物は上記上部電極の金属の酸化物であり、上記上部電極と下部電極の少なくとも一方はタングステン(W)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)のうちのいずれかにてなる。上記抵抗変化型メモリは、正の直流電圧領域において、上記第1の低抵抗状態と上記第1の高抵抗状態の2値を有するとともに、負の直流電圧領域において、上記第2の高抵抗状態と上記第2の低抵抗状態の2値を有することにより、合計4値の情報を記憶する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
PrxCa1-xMnO3にてなるPCMO層を下部電極と上部電極とにより挟設してなる抵抗変化型メモリにおいて、
上記PCMO層と上記上部電極もしくは下部電極との間に金属酸化物層を挿入形成し、
上記金属酸化物は上記上部電極もしくは下部電極の金属の酸化物であり、
上記上部電極と下部電極の少なくとも一方はタングステン(W)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)のうちのいずれかにてなり、
上記抵抗変化型メモリは、
上記上部電極と上記下部電極との間に所定の正の第1の直流電圧を印加することにより、所定の第1の抵抗値を有する第1の低抵抗状態となり、その後、上記正の第1の直流電圧よりも高い正の第2の直流電圧を印加することにより、上記第1の抵抗値より高い第2の抵抗値を有する第1の高抵抗状態となり、
上記上部電極と上記下部電極との間に所定の負の第3の直流電圧を印加することにより、所定の第3の抵抗値を有する第2の高抵抗状態となり、その後、上記負の第3の直流電圧よりも低い負の第4の直流電圧を印加することにより、上記第3の抵抗値より低い第4の抵抗値を有する第2の低抵抗状態となり、
上記抵抗変化型メモリは、正の直流電圧領域において、上記第1の低抵抗状態と上記第1の高抵抗状態の2値を有するとともに、負の直流電圧領域において、上記第2の高抵抗状態と上記第2の低抵抗状態の2値を有することにより、合計4値の情報を記憶することを特徴とする抵抗変化型メモリ。
IPC (3件)：
H01L 27/105
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 448
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083JA36
, 5F083JA39
, 5F083ZA21
