特許
J-GLOBAL ID：201103079071226718
抵抗変化型メモリとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山田 卓二
, 田中 光雄
, 川端 純市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-202483
公開番号（公開出願番号）：特開2011-054766
出願日： 2009年09月02日
公開日（公表日）： 2011年03月17日
要約：
【課題】従来技術に比較して高い再現性で確実に抵抗のヒステリシス特性及びメモリ特性を発現させることができる抵抗変化型メモリとその製造方法を提供する。【解決手段】PrxCa1-xMnO3にてなるPCMO層を下部電極と上部電極とにより挟設してなる抵抗変化型メモリにおいて、上記PCMO層と上記上部電極もしくは下部電極との間に金属酸化物層を挿入形成した。ここで、上記金属酸化物は上記上部電極の金属の酸化物であり、上記上部電極と下部電極の少なくとも一方はタングステン(W)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)のうちのいずれかにてなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
PrxCa1-xMnO3にてなるPCMO層を下部電極と上部電極とにより挟設してなる抵抗変化型メモリにおいて、
上記PCMO層と上記上部電極もしくは下部電極との間に金属酸化物層を挿入形成したことを特徴とする抵抗変化型メモリ。
IPC (3件)：
H01L 27/10
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 451
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA60
, 5F083PR22
, 5F083PR23
, 5F083PR33
