研究者
J-GLOBAL ID:200901074149186729
更新日: 2022年09月13日
森本 恵造
モリモト ケイゾウ | Morimoto Keizo
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所属機関・部署:
大阪府立大学 産学官連携機構
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職名:
講師
研究分野 (2件):
結晶工学
, 応用物性
研究キーワード (2件):
応用物性・結晶工学
, Applied Physic・Crystal growth
競争的資金等の研究課題 (2件):
化合物半導体のエピタキシャル成長とその物性に関する研究
Epitaxial growth of compound semiconductors and its characterization
MISC (17件):
Keizo Morimoto, Naohisa Inoue. Key issues for obtaining high-quality GaN films by two-flow metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth. 2002. 237-239. 1-4. 942-946
Keizo Morimoto, Naohisa Inoue. Key issues for obtaining high-quality GaN films by two-flow metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth. 2002. 237-239. 1-4. 942-946
Morimoto Keizo, Kawamura Yuichi, Inoue Naohisa. Nitrogen Plasma Doping during Metalorganic Chemical Vapor Deposition of ZnSe. Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes. 1997. 36. 7B. 4949-4952
森本 恵造, 河村 裕一, 井上 直久. 成長とプラズマドーピングを交互に行って有機金属気相成長法で作製したN添加┣DBZn Se/Ga As(100)(/)-┫DB. 表面科学. 1996. 17. 5. 276-281
Kelzo MORIMOTO, Yuichi KAWAMURA, Naohisa INOUE. Metalorganic chemical vapor deposition of nitrogen-Doped Zn Se/Ga As(100)by alternate growth and plasma doping. Hyomen Kagaku. 1996. 17. 5. 276-281
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書籍 (1件):
Molecular Beam Epitaxy Handbook of Nanophase Materials (Ed. Avery goldstein) a chapter 5
Marcel Dekker, New York 1996
学位 (1件):
博士(工学) (京都大学)
所属学会 (2件):
応用物理学会
, 物理学会
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