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J-GLOBAL ID：200902155131914372   整理番号：96A0457915

成長とプラズマドーピングを交互に行って有機金属気相成長法で作製したN添加ZnSe/GaAs(100)

Metalorganic Chemical Vapor Deposition of Nitrogen-Doped ZnSe/GaAs(100) by Alternate Growth and Plasma Doping.

著者 (3件)： 森本恵造 (大阪府大 先端科研) ,  河村裕一 (大阪府大 先端科研) ,  井上直久 (大阪府大 先端科研)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 17  号： 5  ページ： 276-281  発行年： 1996年05月 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ジメチル亜鉛とH₂Seを原料とし窒素や...

シソーラス用語： MOCVD ,...

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分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (17件)：

• 1) K. Ohkawa, T. Karasawa and T. Mitsuyu: Jpn. J. Appl. Phys. 30, L152 (1991).
• 2) R. M. Park, M. B. Troffer, C. M. Rouleau, J. M. Depuydt and M. A. Haase: Appl. Phys. Lett. 57, 2127 (1990).
• 3) M. A. Haase, J. Qiu, J. M. Depuydt and H. Cheng: Appl. Phys. Lett. 59,1272 (1991).
• 4) H. Jeon, J. Ding, W. Patterson, A. V. Nurmikko, W. Xie, D. C. Grillo, M. Kobayashi and R. L. Gunshor: Appl. Phys. Lett. 59, 3619 (1991).
• 5) H. Okuyama, K. Nakao, T. Miyajima, and K. Akimoto: Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1620 (1991).

タイトルに関連する用語 (6件)： 成長 ,  プラズマドーピング ,  有機金属気相成長法 ,  作製 ,  ZnSe ,  GaAs