0.1μmのゲートを持つSi結合の超伝導性電界効果トランジスタの作製とその特性評価

文献

J-GLOBAL ID：200902056168391185 整理番号：90A0236984

Fabrication and characterization of Si-coupled superconducting field effect transistors with 0.1μm gate.

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著者 (6件)：

HATANO M

HATANO M について

(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)