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J-GLOBAL ID:200902056168391185   整理番号:90A0236984

0.1μmのゲートを持つSi結合の超伝導性電界効果トランジスタの作製とその特性評価

Fabrication and characterization of Si-coupled superconducting field effect transistors with 0.1μm gate.
著者 (6件):
資料名:
巻:号:ページ: 1333-1337  発行年: 1989年11月 
JST資料番号: E0974A  ISSN: 1071-1023  CODEN: JVTBD9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分類 (3件):
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Josephson接合・素子  ,  金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  ,  トランジスタ 
タイトルに関連する用語 (5件):
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